| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1004401 | PMDPB55XP | 20 V, double-canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1004402 | PMDPB58UPE | 20 V à double canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1004403 | PMDPB65UP | 20 V, 3.5 A-canal P Trench MOSFET double | NXP Semiconductors |
| 1004404 | PMDPB70XP | 30 V, double-canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1004405 | PMDPB70XPE | 20 V à double canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1004406 | PMDPB760EN | 100 V, double canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 1004407 | PMDPB80XP | 20 V, double-canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1004408 | PMDPB85UPE | 20 V à double canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1004409 | PMDT290UCE | 20/20 V, 800/550 mA N / canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1004410 | PMDT290UNE | 20 V, 800 mA double canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 1004411 | PMDT670UPE | 20 V, 550 mA à double canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1004412 | PMDXB600UNE | 20 V, double canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 1004413 | PMDXB950UPE | 20 V, double-canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1004414 | PMEG1020EA | Diode de barrière MEGA ultra basse de VF Schottky | Philips |
| 1004415 | PMEG1020EA | Diode de barrière MEGA ultra basse de VF Schottky | Philips |
| 1004416 | PMEG1020EA | PMEG1020EA; Diode de barrière MEGA ultra basse de VF Schottky | Philips |
| 1004417 | PMEG1020EA | PMEG1020EA; Diode de barrière MEGA ultra basse de VF Schottky | Philips |
| 1004418 | PMEG1020EA | 2 Un ultra faible barrière Schottky redresseur VF MEGA | NXP Semiconductors |
| 1004419 | PMEG1020EH | 10 V, 2 redresseurs MEGA ultra bas de barrière de A VF Schottky | Philips |
| 1004420 | PMEG1020EH | 10 V, 2 redresseurs MEGA ultra bas de barrière de A VF Schottky | Philips |
| 1004421 | PMEG1020EH | PMEG1020EH; 10 V, redresseur MEGA ultra bas de barrière de 2 A Vf Schottky en paquet de SOD123F | Philips |
| 1004422 | PMEG1020EH | 10 V, 2 ultra VF redresseurs A MEGA barrière de Schottky faible | NXP Semiconductors |
| 1004423 | PMEG1020EJ | 10 V, 2 redresseurs MEGA ultra bas de barrière de A VF Schottky | Philips |
| 1004424 | PMEG1020EJ | 10 V, 2 redresseurs MEGA ultra bas de barrière de A VF Schottky | Philips |
| 1004425 | PMEG1020EJ | PMEG1020EJ; 10 V, redresseur MEGA ultra bas de barrière de 2 A Vf Schottky en paquet de SOD323F | Philips |
| 1004426 | PMEG1020EJ | 10 V, 2 ultra VF redresseurs A MEGA barrière de Schottky faible | NXP Semiconductors |
| 1004427 | PMEG1020EV | Redresseur MEGA ultra bas de barrière de VF Schottky | Philips |
| 1004428 | PMEG1020EV | Redresseur MEGA ultra bas de barrière de VF Schottky | Philips |
| 1004429 | PMEG1020EV | PMEG1020EV; Redresseur MEGA ultra bas de barrière de VF Schottky | Philips |
| 1004430 | PMEG1020EV | Ultra bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 1004431 | PMEG1030EH | 10 V, 3 redresseurs MEGA ultra bas de barrière de A Vf Schottky | Philips |
| 1004432 | PMEG1030EH | 10 V, 3 redresseurs MEGA ultra bas de barrière de A Vf Schottky | Philips |
| 1004433 | PMEG1030EH | 10 V, 3 ultra v_F MEGA redresseurs A à barrière de Schottky faible | NXP Semiconductors |
| 1004434 | PMEG1030EJ | 10 V, 3 redresseurs MEGA ultra bas de barrière de A Vf Schottky | Philips |
| 1004435 | PMEG1030EJ | 10 V, 3 redresseurs MEGA ultra bas de barrière de A Vf Schottky | Philips |
| 1004436 | PMEG1030EJ | PMEG1030EJ; 10 V, redresseur MEGA très bas de barrière de 3 A Vf Schottky en paquet de SOD323F | Philips |
| 1004437 | PMEG1030EJ | 10 V, 3 ultra v_F MEGA redresseurs A à barrière de Schottky faible | NXP Semiconductors |
| 1004438 | PMEG2002AESF | 20 V, 0,2 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 1004439 | PMEG2002ESF | 20 V, 0,2 A bas VF MEGA barrière de Schottky redresseur | NXP Semiconductors |
| 1004440 | PMEG2005AEA | Redresseurs MEGA très bas de barrière de VF Schottky | Philips |
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