| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1029801 | Q62702-D99 | TRANSISTORS DU SILICIUM DARLINGTON DE PNP | Siemens |
| 1029802 | Q62702-F102 | Transistor du silicium rf de NPN (particulièrement approprié aux tuners TV-reposés et À FRÉQUENCE ULTRA-haute) | Siemens |
| 1029803 | Q62702-F1020 | Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (pour des demandes de VHF, particulièrement d'entrée et d'étapes de mélangeur avec un grand choix d'accord, par exemple dans des tuners de CATV) | Siemens |
| 1029804 | Q62702-F1021 | Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (pour des étapes d'entrée dans le chiffre bas de bruit de TV de transconductance élevé À FRÉQUENCE ULTRA-haute de tuners) | Siemens |
| 1029805 | Q62702-F1024 | Transistor à haute tension de silicium de NPN (approprié aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1029806 | Q62702-F1042 | Transistor du silicium rf de NPN (pour des applications small-signal générales de rf jusqu'à 300 mégahertz dans des circuits d'amplificateur, de mélangeur et d'oscillateur) | Siemens |
| 1029807 | Q62702-F1049 | Transistor du silicium rf de NPN (pour jusqu'les amplificateurs à à faible bruit 2GHz et applications analogues et numériques à bande large) | Siemens |
| 1029808 | Q62702-F1050 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large jusqu'à 2GHz et à commutateurs non saturés rapides aux courants de collecteur de 0,5 mA à 20 mA) | Siemens |
| 1029809 | Q62702-F1051 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large de bas-déformation jusqu'à 1 gigahertz aux courants de collecteur de 2 mA à 30 mA.) | Siemens |
| 1029810 | Q62702-F1052 | Transistor à haute tension de silicium de NPN (approprié aux étapes visuelles de rendement dans tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de tension claque d'ensembles de TV la basse) | Siemens |
| 1029811 | Q62702-F1053 | Transistor à haute tension de silicium de PNP (approprié aux étapes visuelles de rendement dans tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de tension claque d'ensembles de TV la basse) | Siemens |
| 1029812 | Q62702-F1055 | Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (réseau intégré de suppression contre de fausses oscillations de VHF) | Siemens |
| 1029813 | Q62702-F1056 | Transistors à haute tension de silicium de NPN (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1029814 | Q62702-F1057 | Transistors à haute tension de silicium de PNP (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1029815 | Q62702-F1058 | Transistor à haute tension de silicium de NPN (approprié aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1029816 | Q62702-F1059 | Transistor à haute tension de silicium de PNP (approprié aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1029817 | Q62702-F1062 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les amplificateurs à bande large jusqu'à 2GHz aux courants de collecteur jusqu'à 20mA) | Siemens |
| 1029818 | Q62702-F1063 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les amplificateurs à bande large de basse déformation jusqu'à 1 gigahertz aux courants de collecteur de 2mA jusqu'à 20mA) | Siemens |
| 1029819 | Q62702-F1064 | Transistor à haute tension de silicium de PNP (approprié aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1029820 | Q62702-F1065 | Transistors à haute tension de silicium de NPN (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1029821 | Q62702-F1066 | Transistors à haute tension de silicium de PNP (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1029822 | Q62702-F1086 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé au courant de collecteur de 2mA à 30mA) | Siemens |
| 1029823 | Q62702-F1088 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne et) | Siemens |
| 1029824 | Q62702-F109 | Transistors Planaires De Silicium de NPN | Siemens |
| 1029825 | Q62702-F1104 | TRANSISTOR du SILICIUM Rf de NPN (POUR LES AMPLIFICATEURS À BANDE LARGE À faible bruit, De Bas-déformation DANS L'CAntenne ET LES SYSTÈMES de TÉLÉCOMMUNICATIONS JUSQU'À 2GHz) | Siemens |
| 1029826 | Q62702-F1124 | Transistor du silicium rf de NPN (pour SI amplificateurs dans des tuners TV-reposés et pour des modulateurs de magnétoscope) | Siemens |
| 1029827 | Q62702-F1129 | Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (le transistor de Court-canal avec le facteur de qualité élevé de S/c pour l'entrée à faible bruit et gagner-commandée met en scène jusqu'à 1 gigahertz) | Siemens |
| 1029828 | Q62702-F1132 | Triode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (pour les étapes à haute fréquence jusqu'à 300 mégahertz, de préférence dans des applications de FM) | Siemens |
| 1029829 | Q62702-F1144 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large et les oscillateurs de basse déformation jusqu'à 2GHz aux courants de collecteur de 5 mA à 30 mA) | Siemens |
| 1029830 | Q62702-F1177 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (transistor de Court-canal avec le facteur de qualité élevé de S/c) | Siemens |
| 1029831 | Q62702-F1189 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à faible bruit et à gain élevé jusqu'à 2 gigahertz. Applications à bande large linéaires aux courants de collecteur jusqu'à 40 mA.) | Siemens |
| 1029832 | Q62702-F1215 | FET de GaAs (FET à double portail de N-canal GaAs MES) | Siemens |
| 1029833 | Q62702-F1218 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à gain élevé jusqu'à 2GHz pour les amplificateurs à bande large linéaires) | Siemens |
| 1029834 | Q62702-F1219 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à gain élevé pour les amplificateurs à bande large linéaires) | Siemens |
| 1029835 | Q62702-F1222 | Transistor du silicium rf de NPN (pour l'application dans des tuners TV-reposés) | Siemens |
| 1029836 | Q62702-F1225 | Transistor du silicium rf de NPN (pour des modulateurs et des amplificateurs dans des tuners de TV et de magnétoscope) | Siemens |
| 1029837 | Q62702-F1238 | Transistors à haute tension de silicium de NPN (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1029838 | Q62702-F1239 | Transistors à haute tension de silicium de PNP (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1029839 | Q62702-F1240 | Transistors du silicium rf de NPN (appropriés à émetteur commun rf, SI basse capacité de collecteur-base d'amplificateurs due à la diffusion de bouclier de contact) | Siemens |
| 1029840 | Q62702-F1246 | Transistors à haute tension de silicium de NPN (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
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