| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1029841 | Q62702-F1250 | Transistor du silicium rf de NPN (particulièrement approprié aux amplificateurs et aux tuners TV-reposés) | Siemens |
| 1029842 | Q62702-F1271 | De NPN transistor du silicium rf (pour le bas de bruit, amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 0.5mA à 12mA) | Siemens |
| 1029843 | Q62702-F1282 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à gain élevé jusqu'à 2GHz pour les amplificateurs à bande large linéaires) | Siemens |
| 1029844 | Q62702-F1287 | Transistors du silicium rf de NPN (appropriés à émetteur commun rf, SI basse capacité de collecteur-base d'amplificateurs due à la diffusion de bouclier de contact) | Siemens |
| 1029845 | Q62702-F1291 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à gain élevé jusqu'à 2GHz pour les amplificateurs à bande large linéaires) | Siemens |
| 1029846 | Q62702-F1292 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne et les télécommunications) | Siemens |
| 1029847 | Q62702-F1296 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs de basse puissance dans le pagineur mobile de systèmes de communication aux courants de collecteur de 0.2mA à 2.5mA) | Siemens |
| 1029848 | Q62702-F1298 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs de basse puissance dans les systèmes de communication mobiles) | Siemens |
| 1029849 | Q62702-F1303 | Transistors à haute tension de silicium de NPN (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1029850 | Q62702-F1304 | Transistors à haute tension de silicium de PNP (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1029851 | Q62702-F1305 | Transistors à haute tension de silicium de PNP (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1029852 | Q62702-F1306 | Transistors à haute tension de silicium de NPN (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1029853 | Q62702-F1309 | Transistors à haute tension de silicium de PNP (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1029854 | Q62702-F1312 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à gain élevé jusqu'à 2GHz pour les amplificateurs à bande large linéaires) | Siemens |
| 1029855 | Q62702-F1314 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 0,5 mA à 12mA) | Siemens |
| 1029856 | Q62702-F1315 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 1mA à 20mA) | Siemens |
| 1029857 | Q62702-F1316 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé au courant de collecteur de 2 mA à 30mA) | Siemens |
| 1029858 | Q62702-F1320 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne et les télécommunications) | Siemens |
| 1029859 | Q62702-F1321 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne et les télécommunications) | Siemens |
| 1029860 | Q62702-F1322 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les étapes à bande large d'amplificateur de rendement de bas-déformation dans l'antenne et les télécommunications) | Siemens |
| 1029861 | Q62702-F133 | Transistors Planaires De Silicium de NPN | Siemens |
| 1029862 | Q62702-F134 | Transistors Planaires De Silicium de NPN | Siemens |
| 1029863 | Q62702-F1346 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne et les télécommunications) | Siemens |
| 1029864 | Q62702-F1347 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne et les systèmes de télécommunications jusqu'à 1,5 gigahertz aux courants de collecteur) | Siemens |
| 1029865 | Q62702-F135 | Transistors Planaires De Silicium de NPN | Siemens |
| 1029866 | Q62702-F1359 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large de basse déformation dans l'antenne) | Siemens |
| 1029867 | Q62702-F137 | TRANSISTORS PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1029868 | Q62702-F1372 | Transistor du silicium rf de NPN (pour des applications d'amplificateur et d'oscillateur dans des TV-tuners) | Siemens |
| 1029869 | Q62702-F1377 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs de basse puissance dans le pagineur mobile de systèmes de communication aux courants de collecteur de 0,2 à 2.5mA) | Siemens |
| 1029870 | Q62702-F1378 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs de basse puissance dans les systèmes de communication mobiles) | Siemens |
| 1029871 | Q62702-F1382 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 2 mA à 30 mA) | Siemens |
| 1029872 | Q62702-F1391 | GaAs MMIC (FET Duel Décentré De Porte GaAs) | Siemens |
| 1029873 | Q62702-F1393 | FET de GaAs (gain élevé de bas bruit pour les amplificateurs à faible bruit d'embout avant pour de DBS des convertisseurs vers le bas) | Siemens |
| 1029874 | Q62702-F1394 | FET de GaAs (gain élevé de bas bruit pour les amplificateurs à faible bruit d'embout avant pour de DBS des convertisseurs vers le bas) | Siemens |
| 1029875 | Q62702-F1396 | Transistor du silicium rf de NPN (pour le bas bruit, les amplificateurs à bande large à gain élevé aux courants de collecteur de 1mA à 20mA) | Siemens |
| 1029876 | Q62702-F1426 | TRANSISTOR DU SILICIUM RF DE NPN (POUR DES CONVERTISSEURS DE FRÉQUENCE D'CUhf/vhf ET DES OSCILLATEURS LOCAUX) | Siemens |
| 1029877 | Q62702-F1432 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les étapes à bande large d'amplificateur de rendement de bas-déformation dans l'antenne et les télécommunications) | Siemens |
| 1029878 | Q62702-F1487 | Tétrode de transistor MOSFET de N-Canal de silicium (pour le bas bruit, le gain élevé a commandé des étapes d'entrée jusqu'au réseau polarisé stabilisé intégré par 12V de tension de fonctionnement de 1GHz | Siemens |
| 1029879 | Q62702-F1488 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large jusqu'à 2GHz et à commutateurs non saturés rapides aux courants de collecteur de 0,5 mA à 20 mA) | Siemens |
| 1029880 | Q62702-F1489 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large et les oscillateurs de basse déformation jusqu'à 2GHz aux courants de collecteur de 5 mA à 30 mA) | Siemens |
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