| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1030001 | Q62702-F664 | TRANSISTORS DU SILICIUM RF DE PNP | Siemens |
| 1030002 | Q62702-F678 | TRANSISTOR PLANAIRE DE SILICIUM DE PNP | Siemens |
| 1030003 | Q62702-F704 | Diode de commutation de silicium (pour la commutation élevée de vitesse) | Siemens |
| 1030004 | Q62702-F721 | Transistors de silicium de NPN (tension claque élevée l basse tension de saturation de collecteur-émetteur) | Siemens |
| 1030005 | Q62702-F722 | Transistors de silicium de PNP (tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de tension claque basse) | Siemens |
| 1030006 | Q62702-F739 | Diode de commutation de silicium (pour la commutation élevée de vitesse) | Siemens |
| 1030007 | Q62702-F774 | Transistor du silicium rf de NPN (pour à faible bruit SI et les amplificateurs à bande large dans l'antenne et les systèmes de télécommunications aux courants de collecteur de 2mA à 20mA) | Siemens |
| 1030008 | Q62702-F775 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large jusqu'à 2 gigahertz et à commutateurs non saturés rapides aux courants de collecteur de 1 mA à 20 mA.) | Siemens |
| 1030009 | Q62702-F776 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large de bas-déformation jusqu'à 2 gigahertz aux courants de collecteur de 10 mA à 30 mA.) | Siemens |
| 1030010 | Q62702-F788 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à faible bruit dans la chaîne de gigahertz, et les applications analogues et numériques à bande large) | Siemens |
| 1030011 | Q62702-F803 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les amplificateurs à bande large jusqu'à 2 gigahertz aux courants de collecteur de 5 mA à 30 mA.) | Siemens |
| 1030012 | Q62702-F804 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les amplificateurs à bande large jusqu'à 2 gigahertz aux courants de collecteur jusqu'à 20 mA.) | Siemens |
| 1030013 | Q62702-F869 | Transistor du silicium rf de PNP (pour des OSCILLATEURS, des MÉLANGEURS ET DES ÉTAPES de MÉLANGEUR d'Individu-oscillation DANS DES TUNERS à fréquence ultra-haute de TV) | Siemens |
| 1030014 | Q62702-F884 | Transistors à haute tension de silicium de PNP (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1030015 | Q62702-F885 | Transistors à haute tension de silicium de NPN (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1030016 | Q62702-F935 | TRANSISTOR du SILICIUM rf de NPN (pour des applications à bande large linéaires d'amplificateur conducteur de filtre de SCIE de jusqu'à 500 mégahertz dans des tuners de TV) | Siemens |
| 1030017 | Q62702-F936 | Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (pour des étapes d'entrée et de mélangeur dans des tuners de FM et de VHF TV) | Siemens |
| 1030018 | Q62702-F938 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large et les oscillateurs de basse déformation jusqu'à 2GHz aux courants de collecteur de 0.5mA à 20mA) | Siemens |
| 1030019 | Q62702-F940 | Transistor du silicium rf de NPN (pour les amplificateurs à bande large jusqu'au 1GHz aux courants de collecteur de 1mA à 20mA) | Siemens |
| 1030020 | Q62702-F944 | Transistor du silicium rf de PNP (pour les étapes communes d'amplificateur d'émetteur jusqu'à 300 mégahertz pour des applications de mélangeur dans des radios d'cAm/fm et des tuners de VHF TV) | Siemens |
| 1030021 | Q62702-F976 | Transistors à haute tension de silicium de NPN (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1030022 | Q62702-F977 | Transistors à haute tension de silicium de PNP (appropriés aux étapes visuelles de rendement dans la tension claque élevée d'alimentations d'ensembles de TV et d'énergie de commutation) | Siemens |
| 1030023 | Q62702-F979 | Transistor du silicium rf de NPN (basse capacité de rétroaction d'amplificateur commun d'émetteur IF/rf due à la diffusion de bouclier) | Siemens |
| 1030024 | Q62702-F982 | Transistor du silicium rf de PNP (pour des applications d'oscillateur de VHF) | Siemens |
| 1030025 | Q62702-G0041 | MMIC-Amplificateur bipolaire de silicium (50 cascadable W-gagnent le gain typique de DB du bloc 9 1,0 au dBm P-1dB typique de gigahertz 9 1,0 à la DB-largeur de bande de gigahertz 3: C.c à 2,4 gigahertz) | Siemens |
| 1030026 | Q62702-G0042 | MMIC-Amplificateur bipolaire de silicium (50 cascadable W-gagnent le gain typique de DB du bloc 11 1,0 au dBm P-1dB typique de gigahertz 9 à 1,0 gigahertz) | Siemens |
| 1030027 | Q62702-G0043 | MMIC-Amplificateur bipolaire de silicium (50 cascadable W-gagnent le gain typique de DB du bloc 16 1,0 au dBm P-1dB typique de gigahertz 12 à 1,0 gigahertz) | Siemens |
| 1030028 | Q62702-G0057 | Silicium-MMIC-Amplifierin SIEGET 25-Technologie (50 cascadable ¥Ø-gagnent le bloc sans réserve stable) | Siemens |
| 1030029 | Q62702-G0058 | Silicium-MMIC-Amplificateur dans SIEGET 25-Technologie (casc multifonctionnel. bloc de Ø de 50 ¥ LNA/MÉLANGE sans réserve stable) | Siemens |
| 1030030 | Q62702-G0067 | Silicium-MMIC-Amplificateur dans SIEGET 25-Technologie (50 cascadable W-gagnent le bloc sans réserve stable) | Siemens |
| 1030031 | Q62702-G0071 | GaAs MMIC (MMIC-Amplificateur variable d'amplificateur de gain pour chaîne mobile 50dB fini de commande de gain de communication) | Siemens |
| 1030032 | Q62702-G38 | Rangée de diode de commutation de silicium (morceau de diode de commutateur de vitesse de configuration de pont haut) | Siemens |
| 1030033 | Q62702-G44 | GaAs MMIC (MMIC-Amplificateur monolithique d'cIc de micro-onde pour la communication mobile) | Siemens |
| 1030034 | Q62702-K0047 | NEU: 2fach-Silizium-PIN-Fotodiode dans SMT NOUVEAU: photodiode de GOUPILLE du silicium 2-Chip dans SMT | Siemens |
| 1030035 | Q62702-K34 | Rangée De Photodiode de GOUPILLE De Silicium De 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip | Siemens |
| 1030036 | Q62702-K35 | Rangée De Photodiode de GOUPILLE De Silicium De 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip | Siemens |
| 1030037 | Q62702-K8 | Rangée De Photodiode De Silicium De 3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip | Siemens |
| 1030038 | Q62702-L90 | FET de GaAs (amplificateur de puissance pour les mobilophones pour des fréquences de 400 mégahertz à 2,5 gigahertz) | Siemens |
| 1030039 | Q62702-L94 | FET de GaAs (amplificateur de puissance pour les mobilophones pour des fréquences de 400 mégahertz à 2,5 gigahertz) | Siemens |
| 1030040 | Q62702-L96 | FET de GaAs (amplificateur de puissance pour les mobilophones pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
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