| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1057881 | RN1111CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057882 | RN1111F | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057883 | RN1111FT | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1057884 | RN1111MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057885 | RN1112 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057886 | RN1112ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057887 | RN1112CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057888 | RN1112F | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057889 | RN1112FT | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1057890 | RN1112MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057891 | RN1113 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057892 | RN1113ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057893 | RN1113CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057894 | RN1113F | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057895 | RN1113FT | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1057896 | RN1113MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057897 | RN1114 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057898 | RN1114MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057899 | RN1115 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057900 | RN1115MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057901 | RN1116 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057902 | RN1116FT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057903 | RN1116MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057904 | RN1117 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057905 | RN1117FT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057906 | RN1117MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057907 | RN1118 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057908 | RN1118FT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057909 | RN1118MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057910 | RN1119MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057911 | RN1120 | Diodes De Redresseur | ST Microelectronics |
| 1057912 | RN1130MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057913 | RN1131MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057914 | RN1132MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1057915 | RN1201 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057916 | RN1202 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057917 | RN1203 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057918 | RN1204 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057919 | RN1205 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1057920 | RN1206 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
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