| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1058041 | RN1903FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058042 | RN1903FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058043 | RN1904 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058044 | RN1904AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058045 | RN1904FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058046 | RN1904FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058047 | RN1905 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058048 | RN1905AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058049 | RN1905FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058050 | RN1905FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058051 | RN1906 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058052 | RN1906AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058053 | RN1906FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058054 | RN1906FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058055 | RN1907 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058056 | RN1907AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058057 | RN1907FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058058 | RN1907FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058059 | RN1908 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058060 | RN1908AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058061 | RN1908FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058062 | RN1908FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058063 | RN1909 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058064 | RN1909AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058065 | RN1909FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058066 | RN1909FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058067 | RN1910 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058068 | RN1910AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058069 | RN1910FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058070 | RN1910FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058071 | RN1911 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058072 | RN1911AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058073 | RN1911FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058074 | RN1911FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058075 | RN1912AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058076 | RN1912FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058077 | RN1913AFS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058078 | RN1913FS | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT), le 2-en-1 | TOSHIBA |
| 1058079 | RN1961 | Commutation De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058080 | RN1961FE | Commutation de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
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