| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1058161 | RN2106MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058162 | RN2107 | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 1058163 | RN2107ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058164 | RN2107CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058165 | RN2107F | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 1058166 | RN2107FT | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058167 | RN2107MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058168 | RN2108 | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 1058169 | RN2108ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058170 | RN2108CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058171 | RN2108F | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 1058172 | RN2108FT | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058173 | RN2108MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058174 | RN2109 | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 1058175 | RN2109ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058176 | RN2109CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058177 | RN2109F | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 1058178 | RN2109FT | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058179 | RN2109MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058180 | RN2110 | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 1058181 | RN2110ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058182 | RN2110CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058183 | RN2110F | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 1058184 | RN2110FT | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058185 | RN2110MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058186 | RN2111 | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 1058187 | RN2111ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058188 | RN2111CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058189 | RN2111F | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 1058190 | RN2111FT | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058191 | RN2111MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058192 | RN2112 | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 1058193 | RN2112ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058194 | RN2112CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058195 | RN2112F | Commutation De Type Du Silicium PNP De Transistor (Processus de PCT), Applications Épitaxiales De Circuit D'Inverseur, De Circuit D'Interface Et De Circuit De Conducteur | TOSHIBA |
| 1058196 | RN2112FT | Commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT) (transistor intégré de résistance de polarisation), applications épitaxiales de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur. | TOSHIBA |
| 1058197 | RN2112MFV | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058198 | RN2113 | Applications épitaxiales de commutation de type du silicium PNP de transistor (processus de PCT), de circuit d'inverseur, de circuit d'interface et de circuit de conducteur | TOSHIBA |
| 1058199 | RN2113ACT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058200 | RN2113CT | résistance de polarisation intégré dans le transistor (BRT) | TOSHIBA |
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