| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1143281 | SS9012GBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143282 | SS9012GTA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143283 | SS9012HBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143284 | SS9012HTA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143285 | SS9013 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143286 | SS9013 | 40 V, 500 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 1143287 | SS9013FBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143288 | SS9013FTA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143289 | SS9013FTF | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143290 | SS9013GBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143291 | SS9013GTA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143292 | SS9013HBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143293 | SS9013HTA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143294 | SS9014 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143295 | SS9014 | 50 V, 100 mA, le transistor NPN épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 1143296 | SS9014ABU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143297 | SS9014BBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143298 | SS9014BTA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143299 | SS9014CBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143300 | SS9014CTA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143301 | SS9014DBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143302 | SS9014DTA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143303 | SS9015 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143304 | SS9015 | V -50, -100 Ma, transistor PNP épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 1143305 | SS9015ABU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143306 | SS9015BBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143307 | SS9015BTA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143308 | SS9015CBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143309 | SS9015CTA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 1143310 | SS9016 | 30 V, 25 Ma, transistor NPN épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 1143311 | SS9018 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143312 | SS9018 | 30 V, 50 Ma, transistor NPN épitaxiale de silicium | Samsung Electronic |
| 1143313 | SS9018FBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143314 | SS9018GBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143315 | SS9018HBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 1143316 | SSA23L | Courant vers l'avant de densité de surface de bâti de redresseur à forte intensité de Schottky 2,0 A, V inverse de la tension 30 et 40 | Vishay |
| 1143317 | SSA24 | Courant vers l'avant de densité de surface de bâti de redresseur à forte intensité de Schottky 2,0 A, V inverse de la tension 30 et 40 | Vishay |
| 1143318 | SSA33L | Redresseur à forte intensité de Schottky de bâti de surface de densité, courant vers l'avant 3.0A, tension inverse 30 et 40V | Vishay |
| 1143319 | SSA34 | Redresseur à forte intensité de Schottky de bâti de surface de densité, courant vers l'avant 3.0A, tension inverse 30 et 40V | Vishay |
| 1143320 | SSB43L | Diodes | Vishay |
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