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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1162601STB25NM60NT4Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION Du N-canal 650 @Tjmax-0.140&-20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈMEST Microelectronics
1162602STB26NM60NN-canal 600 V, 0,135 Ohm typ., 20 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
1162603STB26NM60NDN-canal 600 V, 0,145 Ohm typ., 21 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
1162604STB270N4F3N-canal 40 V, 1,6 mOhm typ., 160 A STripFET (TM) III PowerMOSFET dans le package de D2PAKST Microelectronics
1162605STB27NM60NDN-canal 600 V, 0,13 Ohm, 21 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans D2PAKST Microelectronics
1162606STB28N60M2N-canal 600 V, 0,135 Ohm typ., 22 A MDmesh II Plus (TM) faible puissance MOSFET Qg en conditionnement D2PAKST Microelectronics
1162607STB28NM50NN-canal 500 V, 0,135 Ohm typ., 21 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
1162608STB28NM60NDN-canal 600 V, 0,120 Ohm typ., 24 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
1162609STB2N62K3N-canal 620 V, 3 Ohm, 2.2 A, D2PAK SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissanceST Microelectronics
1162610STB3015N - La MANCHE 30V - 0.013 ohm - 40A - transistor MOSFET de PUISSANCE de D2PAK/TO-220 STripFETOST Microelectronics
1162611STB3015N - La MANCHE 30V - 0.013 ohm - 40A - transistor MOSFET de PUISSANCE de D2PAK/TO-220 STripFETOST Microelectronics
1162612STB3015LN-canal 30V - 0,013 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A D2pak/to-220 STRIPFETST Microelectronics
1162613STB3015LN - la MANCHE 30V - 0,013 W - 40A - Transistor MOSFET de PUISSANCE De D 2 Pak/to-220 STripFETSGS Thomson Microelectronics
1162614STB3015LN-canal 30V - 0,013 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A D2pak/to-220 STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1162615STB3020LN-canal 30V - 0,013 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 40A D2pak/to-220 STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1162616STB30N10VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
1162617STB30N10VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
1162618STB30N10N - La MANCHE 100V - 0.0Õhm - 30A - TRANSISTOR De MOS De PUISSANCE De D 2 PAKSGS Thomson Microelectronics
1162619STB30N65M5N-canal 650 V, 0,125 Ohm, 22 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance D2PAKST Microelectronics



1162620STB30NE06LN-canal 60V - 0,35 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 30A D2PAK STRIPFETST Microelectronics
1162621STB30NE06LN-canal 60V - 0,35 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 30A D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
1162622STB30NE06LN - la MANCHE 60V - 0,35 Ohms - 30A - Transistor MOSFET de PUISSANCE De D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
1162623STB30NF10Transistor MOSFET de la PUISSANCE II de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 3Ä To-220/to-220fp/d2pak Du N-canal 100V 0,038 BASST Microelectronics
1162624STB30NF10Transistor MOSFET de la PUISSANCE II de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 3Ä To-220/to-220fp/d2pak Du N-canal 100V 0,038 BASSGS Thomson Microelectronics
1162625STB30NF10T4Transistor MOSFET de la PUISSANCE II de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 3Ä To-220/to-220fp/d2pak Du N-canal 100V 0,038 BASST Microelectronics
1162626STB30NF20N-canal 200 V, 0,065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET (TM) MOSFET de puissanceST Microelectronics
1162627STB30NF20LN-canal 200 V, 0,065 Ohm, 30 A, D2PAK STripFET (TM) MOSFET de puissanceST Microelectronics
1162628STB30NS15N-canal 150V - 0,075 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 30A D2PAKST Microelectronics
1162629STB31N65M5N-canal 650 V, 0,124 Ohm, 22 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
1162630STB32N65M5N-canal 650 V, 0,095 Ohm, 24 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans D2PAKST Microelectronics
1162631STB32NM50NN-canal 500 V, 0,1 Ohm typ., 22 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
1162632STB33N60M2N-canal 600 V, 0,108 Ohm typ., 26 A MDmesh II Plus (TM) faible puissance MOSFET Qg en conditionnement D2PAKST Microelectronics
1162633STB34N65M5N-canal 650 V, 0,09 Ohm, 28 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAKST Microelectronics
1162634STB34NM60NN-canal 600 V, 0,092 Ohm, 29 A, MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans D2PAKST Microelectronics
1162635STB34NM60NDN-canal 600 V, 0,097 Ohm, 29 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) D2PAKST Microelectronics
1162636STB35N65M5N-canal 650 V, 0,085 Ohm, 27 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans D2PAKST Microelectronics
1162637STB35NF10Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 40A To-220/d2pak Du N-canal 100V 0.030 BASST Microelectronics
1162638STB35NF10Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 40A To-220/d2pak Du N-canal 100V 0.030 BASSGS Thomson Microelectronics
1162639STB35NF10T4Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 40A To-220/d2pak Du N-canal 100V 0.030 BASST Microelectronics
1162640STB36NF02LN-canal 20V - 0,016 OHMS - 3Ã - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de D2PAKST Microelectronics
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