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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1163281STBS5B2FILTRE PASSAGER BIDIRECTIONNEL DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1163282STBS5B3FILTRE PASSAGER BIDIRECTIONNEL DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1163283STBS5B3FILTRE PASSAGER BIDIRECTIONNEL DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1163284STBS5B4FILTRE PASSAGER BIDIRECTIONNEL DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1163285STBS5B4FILTRE PASSAGER BIDIRECTIONNEL DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1163286STBS5B5FILTRE PASSAGER BIDIRECTIONNEL DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1163287STBS5B5FILTRE PASSAGER BIDIRECTIONNEL DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1163288STBS5B8FILTRE PASSAGER BIDIRECTIONNEL DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1163289STBS5B8FILTRE PASSAGER BIDIRECTIONNEL DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1163290STBS5B9FILTRE PASSAGER BIDIRECTIONNEL DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1163291STBS5B9FILTRE PASSAGER BIDIRECTIONNEL DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1163292STBS5D0FILTRE PASSAGER BIDIRECTIONNEL DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1163293STBS5D0FILTRE PASSAGER BIDIRECTIONNEL DE TENSION DE BÂTI EXTÉRIEUREIC discrete Semiconductors
1163294STBV32TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
1163295STBV32TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics
1163296STBV32TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics
1163297STBV32-APHAUTE TENSION à commutation rapide NPN TRANSISTOR DE PUISSANCEST Microelectronics
1163298STBV42TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
1163299STBV42TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics



1163300STBV42-APHAUTE TENSION à commutation rapide NPN TRANSISTOR DE PUISSANCEST Microelectronics
1163301STBV45TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
1163302STBV45TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics
1163303STBV45-APTRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
1163304STBV45-APTRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
1163305STBV68TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
1163306STBV68TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics
1163307STCSubminiature, condensateurs pleins plombés de tantale, polaire ou non polaireVishay
1163308STC-1506-2R4INDUCTEUR DE PUISSANCE DE SMDMicro Electronics
1163309STC-1606-2R4INDUCTEUR DE PUISSANCE DE SMDMicro Electronics
1163310STC03DE150TRANSISTOR BIPOLAIRE COMMUTÉ PAR ÉMETTEUR HYBRIDE - ESBT "1500 V - 3 A - 0,55 OhmsST Microelectronics
1163311STC03DE170TRANSISTOR BIPOLAIRE COMMUTÉ PAR ÉMETTEUR HYBRIDE - ESBT "1700 V - 3 A - 0,55 OhmsST Microelectronics
1163312STC03DE170HPÉmetteur hybride commuté transistor bipolaire ESBT 1700V - 3A - 0,33}ST Microelectronics
1163313STC03DE170HVÉmetteur hybride commuté transistor bipolaire ESBT 1700V - 3A - 0,33}ST Microelectronics
1163314STC03DE220HPHybrid émetteur commuté transistor bipolaire ESBT® 2200 V - 3 A - 0,33 ®ST Microelectronics
1163315STC03DE220HVHybrid émetteur commuté transistor bipolaire ESBT® 2200 V - 3 A - 0,33 ®ST Microelectronics
1163316STC04IE170HPL'émetteur du transistor bipolaire monolithique en marche ESBT® 1700 V - 4 A - ® 0,17ST Microelectronics
1163317STC04IE170HVL'émetteur du transistor bipolaire monolithique en marche ESBT® 1700 V - 4 A - ® 0,17ST Microelectronics
1163318STC08DE150TRANSISTOR BIPOLAIRE COMMUTÉ PAR ÉMETTEUR HYBRIDE - ESBT "1500 V - 8 A - 0,075 OhmsST Microelectronics
1163319STC128Transistor De Silicium de NPNAUK Corp
1163320STC128MTransistor De Silicium de NPNAUK Corp
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