| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1164401 | STD70N10F4 | N-canal 100 V, 0,015 Ohm, 60 A, STripFET (TM) DeepGATE (TM) MOSFET de puissance en DPAK | ST Microelectronics |
| 1164402 | STD70N6F3 | N-canal 60 V, 8,0 mOhm, 70 A DPAK | ST Microelectronics |
| 1164403 | STD70NH02L | N-canal 24V - 0.006òhm - 60A - Transistor MOSFET De PUISSANCE De DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1164404 | STD70NH02L-1 | N-canal 24V - 0.006òhm - 60A - Transistor MOSFET De PUISSANCE De DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1164405 | STD70NH02LT4 | N-canal 24V - 0.006òhm - 60A - Transistor MOSFET De PUISSANCE De DPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
| 1164406 | STD70NS04ZL | N-canal 40V, DPAK, MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1164407 | STD75N3LLH6 | N-canal 30 V, 0,0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1164408 | STD790A | TRANSISTOR COURANT MOYEN DE LA BASSE TENSION PNP DE RENDEMENT ÉLEVÉ | ST Microelectronics |
| 1164409 | STD790AT4 | TRANSISTOR COURANT MOYEN DE LA BASSE TENSION PNP DE RENDEMENT ÉLEVÉ | ST Microelectronics |
| 1164410 | STD7ANM60N | N-canal 600 V, 5 A, 0,84 Ohm typ., MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1164411 | STD7N52DK3 | N-canal 525 V, 0,95 Ohm typ., 6 A SuperFREDmesh (TM) 3 MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1164412 | STD7N52K3 | N-canal 525 V, 0,72 Ohm, 6 A, DPAK SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1164413 | STD7N60M2 | N-canal 600 V, 0,86 Ohm typ., 5 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1164414 | STD7N65M2 | N-canal 650 V, 0,96 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 MOSFET de puissance dans un paquet de DPAK | ST Microelectronics |
| 1164415 | STD7N80K5 | N-canal 800 V, 0,95 Ohm typ., 6 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1164416 | STD7NB20 | Transistor MOSFET de l'cOhm 7A DPAK/ipak POWERMESH Du N-canal 200V 0,3 | ST Microelectronics |
| 1164417 | STD7NB20 | N - Transistor MOSFET De PowerMESH de MODE de PERFECTIONNEMENT de la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164418 | STD7NB20-1 | Transistor MOSFET de l'cOhm 7A DPAK/ipak POWERMESH Du N-canal 200V 0,3 | ST Microelectronics |
| 1164419 | STD7NB20T4 | Transistor MOSFET de l'cOhm 7A DPAK/ipak POWERMESH Du N-canal 200V 0,3 | ST Microelectronics |
| 1164420 | STD7NK40 | Transistor MOSFET Zener-Protégé par TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK de N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A SuperMESH.?wer | ST Microelectronics |
| 1164421 | STD7NK40 | Transistor MOSFET Zener-Protégé par TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK de N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A SuperMESH.?wer | ST Microelectronics |
| 1164422 | STD7NK40 | Transistor MOSFET Zener-Protégé par TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK de N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A SuperMESH.?wer | ST Microelectronics |
| 1164423 | STD7NK40Z | Le N-canal 400V - 0,85 OHMS - 5. To-220/to-220fp/dpak/ipak Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1164424 | STD7NK40Z-1 | Le N-canal 400V - 0,85 OHMS - 5. To-220/to-220fp/dpak/ipak Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1164425 | STD7NK40ZT4 | Le N-canal 400V - 0,85 OHMS - 5. To-220/to-220fp/dpak/ipak Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1164426 | STD7NM60N | N-canal 600 V, 5 A, 0,84 Ohm MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1164427 | STD7NM64N | N-canal 640 V, 5 A, 0,88 Ohm typ. MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans un paquet de DPAK | ST Microelectronics |
| 1164428 | STD7NM80 | N-canal 800 V, 0,95 Ohm, 6,5 A MDmesh (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1164429 | STD7NM80-1 | N-canal 800 V, 0,95 Ohm, 6,5 A MDmesh (TM) MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1164430 | STD7NS20 | N-canal 200V - 0,35 OHMS - 7A - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de DPAK/ipak | ST Microelectronics |
| 1164431 | STD7NS20 | N - la MANCHE 200V - 0,35 Ohms - 7A - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164432 | STD7NS20-1 | N-canal 200V - 0,35 OHMS - 7A - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de DPAK/ipak | ST Microelectronics |
| 1164433 | STD7NS20T4 | N-canal 200V - 0,35 OHMS - 7A - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de DPAK/ipak | ST Microelectronics |
| 1164434 | STD80 | Introduction De Bibliothèque De Cellules Standard De 0,5 Microns STD80 | Samsung Electronic |
| 1164435 | STD80 | Table des matières De Bibliothèque De Cellules Standard De 0,5 Microns STD80 | Samsung Electronic |
| 1164436 | STD80 | Caractéristiques De Bibliothèque De Cellules Standard De 0,5 Microns STD80 | Samsung Electronic |
| 1164437 | STD80N10F7 | N-canal 100 V, 0,0085 Ohm typ., 70 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1164438 | STD80N4F6 | Automobile-catégorie N-canal 40 V, 5,5 mOhm typ., 80 A, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1164439 | STD80N6F6 | Automobile-catégorie N-canal 60 V, 4,4 mOhm typ., 80 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans un paquet de DPAK | ST Microelectronics |
| 1164440 | STD815CP40 | Complémentaire paire de transistors dans un seul paquet | ST Microelectronics |
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