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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1164401STD70N10F4N-canal 100 V, 0,015 Ohm, 60 A, STripFET (TM) DeepGATE (TM) MOSFET de puissance en DPAKST Microelectronics
1164402STD70N6F3N-canal 60 V, 8,0 mOhm, 70 A DPAKST Microelectronics
1164403STD70NH02LN-canal 24V - 0.006òhm - 60A - Transistor MOSFET De PUISSANCE De DPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164404STD70NH02L-1N-canal 24V - 0.006òhm - 60A - Transistor MOSFET De PUISSANCE De DPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164405STD70NH02LT4N-canal 24V - 0.006òhm - 60A - Transistor MOSFET De PUISSANCE De DPAK STRIPFET IIIST Microelectronics
1164406STD70NS04ZLN-canal 40V, DPAK, MOSFET de puissanceST Microelectronics
1164407STD75N3LLH6N-canal 30 V, 0,0042 Ohm, 75 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissanceST Microelectronics
1164408STD790ATRANSISTOR COURANT MOYEN DE LA BASSE TENSION PNP DE RENDEMENT ÉLEVÉST Microelectronics
1164409STD790AT4TRANSISTOR COURANT MOYEN DE LA BASSE TENSION PNP DE RENDEMENT ÉLEVÉST Microelectronics
1164410STD7ANM60NN-canal 600 V, 5 A, 0,84 Ohm typ., MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164411STD7N52DK3N-canal 525 V, 0,95 Ohm typ., 6 A SuperFREDmesh (TM) 3 MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164412STD7N52K3N-canal 525 V, 0,72 Ohm, 6 A, DPAK SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissanceST Microelectronics
1164413STD7N60M2N-canal 600 V, 0,86 Ohm typ., 5 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164414STD7N65M2N-canal 650 V, 0,96 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 MOSFET de puissance dans un paquet de DPAKST Microelectronics
1164415STD7N80K5N-canal 800 V, 0,95 Ohm typ., 6 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164416STD7NB20Transistor MOSFET de l'cOhm 7A DPAK/ipak POWERMESH Du N-canal 200V 0,3ST Microelectronics
1164417STD7NB20N - Transistor MOSFET De PowerMESH de MODE de PERFECTIONNEMENT de la MANCHESGS Thomson Microelectronics
1164418STD7NB20-1Transistor MOSFET de l'cOhm 7A DPAK/ipak POWERMESH Du N-canal 200V 0,3ST Microelectronics
1164419STD7NB20T4Transistor MOSFET de l'cOhm 7A DPAK/ipak POWERMESH Du N-canal 200V 0,3ST Microelectronics



1164420STD7NK40Transistor MOSFET Zener-Protégé par TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK de N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A SuperMESH.?werST Microelectronics
1164421STD7NK40Transistor MOSFET Zener-Protégé par TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK de N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A SuperMESH.?werST Microelectronics
1164422STD7NK40Transistor MOSFET Zener-Protégé par TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK de N-CHANNEL 400V-0.85ohm-5.4A SuperMESH.?werST Microelectronics
1164423STD7NK40ZLe N-canal 400V - 0,85 OHMS - 5. To-220/to-220fp/dpak/ipak Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESHST Microelectronics
1164424STD7NK40Z-1Le N-canal 400V - 0,85 OHMS - 5. To-220/to-220fp/dpak/ipak Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESHST Microelectronics
1164425STD7NK40ZT4Le N-canal 400V - 0,85 OHMS - 5. To-220/to-220fp/dpak/ipak Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESHST Microelectronics
1164426STD7NM60NN-canal 600 V, 5 A, 0,84 Ohm MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164427STD7NM64NN-canal 640 V, 5 A, 0,88 Ohm typ. MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans un paquet de DPAKST Microelectronics
1164428STD7NM80N-canal 800 V, 0,95 Ohm, 6,5 A MDmesh (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164429STD7NM80-1N-canal 800 V, 0,95 Ohm, 6,5 A MDmesh (TM) MOSFET de puissance dans le paquet IPAKST Microelectronics
1164430STD7NS20N-canal 200V - 0,35 OHMS - 7A - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de DPAK/ipakST Microelectronics
1164431STD7NS20N - la MANCHE 200V - 0,35 Ohms - 7A - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de DPAKSGS Thomson Microelectronics
1164432STD7NS20-1N-canal 200V - 0,35 OHMS - 7A - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de DPAK/ipakST Microelectronics
1164433STD7NS20T4N-canal 200V - 0,35 OHMS - 7A - Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE de DPAK/ipakST Microelectronics
1164434STD80Introduction De Bibliothèque De Cellules Standard De 0,5 Microns STD80Samsung Electronic
1164435STD80Table des matières De Bibliothèque De Cellules Standard De 0,5 Microns STD80Samsung Electronic
1164436STD80Caractéristiques De Bibliothèque De Cellules Standard De 0,5 Microns STD80Samsung Electronic
1164437STD80N10F7N-canal 100 V, 0,0085 Ohm typ., 70 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164438STD80N4F6Automobile-catégorie N-canal 40 V, 5,5 mOhm typ., 80 A, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAKST Microelectronics
1164439STD80N6F6Automobile-catégorie N-canal 60 V, 4,4 mOhm typ., 80 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans un paquet de DPAKST Microelectronics
1164440STD815CP40Complémentaire paire de transistors dans un seul paquetST Microelectronics
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