Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
1166001 | STH16NA40FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
1166002 | STH16NA40FI | N - la MANCHE 400V - 0.21W - 1Ã - TRANSISTORS de MOS de la PUISSANCE To-247/isowatt218 | SGS Thomson Microelectronics |
1166003 | STH16NA40FI | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
1166004 | STH180N10F3-2 | N-canal 100 V, 3,9 mOhm, 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance H2PAK-2 | ST Microelectronics |
1166005 | STH180N10F3-6 | N-canal 100 V, 3,9 mOhm, 180 A, H2PAK-six STripFET (TM) III MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
1166006 | STH185N10F3-2 | Automobile qualité à canal N 100 V, 3,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance package H2PAK-2 | ST Microelectronics |
1166007 | STH18NB40 | Transistor MOSFET de l'cOhm 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Du N-canal 400V 0,19 | ST Microelectronics |
1166008 | STH18NB40FI | Transistor MOSFET de l'cOhm 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Du N-canal 400V 0,19 | ST Microelectronics |
1166009 | STH18NB40FI | N-canal 400V - 0.19W - Transistor MOSFET De 18. To-247/isowatt218 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1166010 | STH18NB40FI | Transistor MOSFET de l'cOhm 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Du N-canal 400V 0,19 | SGS Thomson Microelectronics |
1166011 | STH210N75F6-2 | N-canal 75 V, 0,0027 Ohm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquet | ST Microelectronics |
1166012 | STH240N10F7-2 | N-canal 100 V, 0,002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 MOSFET de puissance dans un paquet H2PAK-2 | ST Microelectronics |
1166013 | STH240N10F7-6 | N-canal 100 V, 0,002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 MOSFET de puissance dans un paquet H2PAK-6 | ST Microelectronics |
1166014 | STH240N75F3-2 | N-canal 75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquet | ST Microelectronics |
1166015 | STH240N75F3-6 | N-canal 75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquet | ST Microelectronics |
1166016 | STH245N75F3-6 | Automobile qualité à canal N 75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET F3 MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquet | ST Microelectronics |
1166017 | STH250N55F3-6 | N-canal 55 V, 2,2 mOhm, 180 A, H2PAK, STripFET III MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
1166018 | STH260N6F6-2 | N-canal 60 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquet | ST Microelectronics |
1166019 | STH260N6F6-6 | N-canal 60 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquet | ST Microelectronics |
1166020 | STH270N4F3-2 | N-canal 40 V, 1,4 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquet | ST Microelectronics |
1166021 | STH270N4F3-6 | N-canal 40 V, 1,4 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquet | ST Microelectronics |
1166022 | STH270N8F7-2 | N-canal 80 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquet | ST Microelectronics |
1166023 | STH270N8F7-6 | N-canal 80 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquet | ST Microelectronics |
1166024 | STH300NH02L-6 | N-canal 24 V, 0,95 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) MOSFET de puissance dans un paquet H2PAK-6 | ST Microelectronics |
1166025 | STH310N10F7-2 | N-canal 100 V, 1,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquet | ST Microelectronics |
1166026 | STH310N10F7-6 | N-canal 100 V, 1,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquet | ST Microelectronics |
1166027 | STH315N10F7-2 | Automobile qualité à canal N 100 V, 2,1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
1166028 | STH315N10F7-6 | Automobile qualité à canal N 100 V, 2,1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
1166029 | STH320N4F6-2 | N-canal 40 V, 1,1 mOhm typ., 200 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquet | ST Microelectronics |
1166030 | STH320N4F6-6 | N-canal 40 V, 1,1 mOhm typ., 200 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquet | ST Microelectronics |
1166031 | STH33N20 | TRANSISTOR DE MOS DE PUISSANCE DE MODE DE PERFECTIONNEMENT DEN-CHANNEL | ST Microelectronics |
1166032 | STH33N20 | TRANSISTOR DE MOS DE PUISSANCE DE MODE DE PERFECTIONNEMENT DEN-CHANNEL | ST Microelectronics |
1166033 | STH33N20FI | TRANSISTOR DE MOS DE PUISSANCE DE MODE DE PERFECTIONNEMENT DEN-CHANNEL | ST Microelectronics |
1166034 | STH33N20FI | TRANSISTOR DE MOS DE PUISSANCE DE MODE DE PERFECTIONNEMENT DEN-CHANNEL | ST Microelectronics |
1166035 | STH360N4F6-2 | N-canal 40 V, 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquet | ST Microelectronics |
1166036 | STH3N150-2 | Canal N 1500 V, 6 Ohm typ., 2,5 A PowerMESH (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquet | ST Microelectronics |
1166037 | STH400N4F6-2 | Automobile-catégorie N-canal 40 V, 0,85 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans le paquet H2PAK-2 | ST Microelectronics |
1166038 | STH400N4F6-6 | Automobile-catégorie N-canal 40 V, 0,85 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquet | ST Microelectronics |
1166039 | STH4N90 | TRANSISTOR DE MOS DE PUISSANCE DE MODE DE PERFECTIONNEMENT DEN-CHANNEL | ST Microelectronics |
1166040 | STH4N90 | TRANSISTOR DE MOS DE PUISSANCE DE MODE DE PERFECTIONNEMENT DEN-CHANNEL | ST Microelectronics |
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