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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1166001STH16NA40FIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
1166002STH16NA40FIN - la MANCHE 400V - 0.21W - 1Ã - TRANSISTORS de MOS de la PUISSANCE To-247/isowatt218SGS Thomson Microelectronics
1166003STH16NA40FIVIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
1166004STH180N10F3-2N-canal 100 V, 3,9 mOhm, 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance H2PAK-2ST Microelectronics
1166005STH180N10F3-6N-canal 100 V, 3,9 mOhm, 180 A, H2PAK-six STripFET (TM) III MOSFET de puissanceST Microelectronics
1166006STH185N10F3-2Automobile qualité à canal N 100 V, 3,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance package H2PAK-2ST Microelectronics
1166007STH18NB40Transistor MOSFET de l'cOhm 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Du N-canal 400V 0,19ST Microelectronics
1166008STH18NB40FITransistor MOSFET de l'cOhm 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Du N-canal 400V 0,19ST Microelectronics
1166009STH18NB40FIN-canal 400V - 0.19W - Transistor MOSFET De 18. To-247/isowatt218 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1166010STH18NB40FITransistor MOSFET de l'cOhm 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Du N-canal 400V 0,19SGS Thomson Microelectronics
1166011STH210N75F6-2N-canal 75 V, 0,0027 Ohm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
1166012STH240N10F7-2N-canal 100 V, 0,002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 MOSFET de puissance dans un paquet H2PAK-2ST Microelectronics
1166013STH240N10F7-6N-canal 100 V, 0,002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 MOSFET de puissance dans un paquet H2PAK-6ST Microelectronics
1166014STH240N75F3-2N-canal 75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
1166015STH240N75F3-6N-canal 75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquetST Microelectronics
1166016STH245N75F3-6Automobile qualité à canal N 75 V, 2,6 mOhm typ., 180 A STripFET F3 MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquetST Microelectronics
1166017STH250N55F3-6N-canal 55 V, 2,2 mOhm, 180 A, H2PAK, STripFET III MOSFET de puissanceST Microelectronics
1166018STH260N6F6-2N-canal 60 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
1166019STH260N6F6-6N-canal 60 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquetST Microelectronics



1166020STH270N4F3-2N-canal 40 V, 1,4 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
1166021STH270N4F3-6N-canal 40 V, 1,4 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquetST Microelectronics
1166022STH270N8F7-2N-canal 80 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
1166023STH270N8F7-6N-canal 80 V, 1,7 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquetST Microelectronics
1166024STH300NH02L-6N-canal 24 V, 0,95 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) MOSFET de puissance dans un paquet H2PAK-6ST Microelectronics
1166025STH310N10F7-2N-canal 100 V, 1,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
1166026STH310N10F7-6N-canal 100 V, 1,9 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquetST Microelectronics
1166027STH315N10F7-2Automobile qualité à canal N 100 V, 2,1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 MOSFET de puissanceST Microelectronics
1166028STH315N10F7-6Automobile qualité à canal N 100 V, 2,1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 MOSFET de puissanceST Microelectronics
1166029STH320N4F6-2N-canal 40 V, 1,1 mOhm typ., 200 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
1166030STH320N4F6-6N-canal 40 V, 1,1 mOhm typ., 200 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquetST Microelectronics
1166031STH33N20TRANSISTOR DE MOS DE PUISSANCE DE MODE DE PERFECTIONNEMENT DEN-CHANNELST Microelectronics
1166032STH33N20TRANSISTOR DE MOS DE PUISSANCE DE MODE DE PERFECTIONNEMENT DEN-CHANNELST Microelectronics
1166033STH33N20FITRANSISTOR DE MOS DE PUISSANCE DE MODE DE PERFECTIONNEMENT DEN-CHANNELST Microelectronics
1166034STH33N20FITRANSISTOR DE MOS DE PUISSANCE DE MODE DE PERFECTIONNEMENT DEN-CHANNELST Microelectronics
1166035STH360N4F6-2N-canal 40 V, 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
1166036STH3N150-2Canal N 1500 V, 6 Ohm typ., 2,5 A PowerMESH (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-2 paquetST Microelectronics
1166037STH400N4F6-2Automobile-catégorie N-canal 40 V, 0,85 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans le paquet H2PAK-2ST Microelectronics
1166038STH400N4F6-6Automobile-catégorie N-canal 40 V, 0,85 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans H2PAK-6 paquetST Microelectronics
1166039STH4N90TRANSISTOR DE MOS DE PUISSANCE DE MODE DE PERFECTIONNEMENT DEN-CHANNELST Microelectronics
1166040STH4N90TRANSISTOR DE MOS DE PUISSANCE DE MODE DE PERFECTIONNEMENT DEN-CHANNELST Microelectronics
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