| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1180041 | STU6N65K3 | N-canal 650 V, 1,1 Ohm typ., 5,4 A SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1180042 | STU6N65M2 | N-canal 650 V, 1,2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1180043 | STU6N95K5 | N-canal 950 V, 1 Ohm typ., 9 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1180044 | STU6NA100 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1180045 | STU6NA100 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180046 | STU6NA100 | N - la MANCHE 1000V - 1.45W - Ã - Max220, TRANSISTOR RAPIDE de MOS de PUISSANCE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180047 | STU6NA90 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1180048 | STU6NA90 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180049 | STU6NA90 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180050 | STU6NF10 | N-canal 100 V, 0,22 Î ©, 6 A, DPAK, IPAK faible charge de grille STripFETÍ ?? 2; 2; MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1180051 | STU75N3LLH6 | N-canal 30 V, 0,0042 Ohm, 75 A, IPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1180052 | STU7N60M2 | N-canal 600 V, 0,86 Ohm typ., 5 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1180053 | STU7N65M2 | N-canal 650 V, 0,96 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 MOSFET de puissance dans un paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1180054 | STU7N80K5 | N-canal 800 V, 0,95 Ohm typ., 6 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1180055 | STU7NA80 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1180056 | STU7NA80 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180057 | STU7NA80 | N - la MANCHE 800V - 1,3 Ohms - 6.Ä - Max220 JEÛNENT Transistor MOSFET de PUISSANCE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180058 | STU7NA90 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1180059 | STU7NA90 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180060 | STU7NA90 | N - la MANCHE 900V - 1,05 Ohms - 7A - Max220 JEÛNENT TRANSISTOR de MOS de PUISSANCE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180061 | STU7NB100 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1180062 | STU7NB100 | N - la MANCHE 1000V - 1.2W - 7.Á - Max220, Transistor MOSFET De PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180063 | STU7NB90 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1180064 | STU7NB90 | N - la MANCHE 900V - 1,2 Ohms - 7.Á - Transistor MOSFET De Max220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180065 | STU7NB90 | N-canal 900V - 1,1 OHMS - 7.Á - Transistor MOSFET de MAX220/max220i POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180066 | STU7NB90I | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1180067 | STU7NB90I | N-canal 900V - 1,1 OHMS - 7.Á - Transistor MOSFET de MAX220/max220i POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180068 | STU7NF25 | N-canal 250 V 0,29 Ohm typ., 8 A, STripFET (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1180069 | STU7NM60N | N-canal 600 V, 5 A, 0,84 Ohm MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1180070 | STU80N4F6 | N-canal 40 V, 5,8 mOhm typ., 80 A, STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans le paquet DPAK | ST Microelectronics |
| 1180071 | STU85N3LH5 | N-canal 30 V, 0,0042 Ohm, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK | ST Microelectronics |
| 1180072 | STU8N65M5 | N-canal 650 V, 0,56 Ohm, 7 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans IPAK | ST Microelectronics |
| 1180073 | STU8N80K5 | N-canal 800 V, 0,8 Ohm typ., 6 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans le paquet IPAK | ST Microelectronics |
| 1180074 | STU8NA80 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1180075 | STU8NA80 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180076 | STU8NA80 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180077 | STU8NB90 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1180078 | STU8NB90 | N-canal 900V - 0,7 Ohms - 8.9A - Transistor MOSFET De Max220 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1180079 | STU8NC90Z | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1180080 | STU8NC90Z | l'cOhm 7.Ã MAX220/I-max220 Du N-canal 900V 1,1 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
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