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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1180881STW18N65M5N-canal 650 V, 0,198 Ohm typ., 15 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180882STW18NB40Transistor MOSFET de l'cOhm 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Du N-canal 400V 0,19ST Microelectronics
1180883STW18NB40N-canal 400V - 0.19W - Transistor MOSFET De 18. To-247/isowatt218 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1180884STW18NB40Transistor MOSFET de l'cOhm 18. To-247/isowatt218 POWERMESH Du N-canal 400V 0,19SGS Thomson Microelectronics
1180885STW18NK60ZLe N-canal 600V - 0,27 OHMS - 1Ã To-247 Zener-a protégé SUPERMESH™ Transistor MOSFETST Microelectronics
1180886STW18NK80Zl'cOhm 1Å To-247 Du N-canal 800V 0,34 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESHST Microelectronics
1180887STW18NM60NN-canal 600 V, 0,26 Ohm typ., 13 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans TO-247ST Microelectronics
1180888STW18NM60NDN-canal 600 V, 0,25 Ohm typ., 13 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180889STW18NM80N-canal 800 V, 0,25 Ohm, 17 A, MDmesh (TM) MOSFET de puissance dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180890STW19NM50NN-canal 500 V, 0,2 Ohm, 14 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans TO-247ST Microelectronics
1180891STW19NM60NAutomobile qualité à canal N 600 V, 0,26 Ohm, 13 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180892STW200NF03N-canal 30V - 0,002 OHMS - Transistor MOSFET ULTRA BAS De la Sur-résistance STRIPFET II De 120A To-247ST Microelectronics
1180893STW200NF03N-canal 30V - 0,002 ohm - 120A TO-247 ultra faible résistance à l'état MOSFET STripFET IISGS Thomson Microelectronics
1180894STW20N65M5N-canal 650 V, 0,160 Ohm typ., 18 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180895STW20N95K5N-canal 950 V, 0,275 Ohm typ., 17,5 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180896STW20NA50VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
1180897STW20NA50N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
1180898STW20NA50VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
1180899STW20NB50Transistor MOSFET TRÈS BAS de PUISSANCE de CHARGE de PORTE de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canalST Microelectronics



1180900STW20NB50N - la MANCHE 500V - 0.2Òhm - 20A - Transistor MOSFET De To-247 PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
1180901STW20NC50N-canal 500V - Transistor MOSFET De 0,22 OHMS 18. To-247 POWERMESH IIST Microelectronics
1180902STW20NC50N-canal 500V - Transistor MOSFET De 0,22 OHMS 18. To-247 POWERMESH IISGS Thomson Microelectronics
1180903STW20NK50ZLe N-canal 500V - 0,23 OHMS - 17A To-247 Zener-a protégé SUPERMESH POWERMOSFETST Microelectronics
1180904STW20NK70ZLe N-canal 700V - 0,25 OHMS - 20A To-247 Zener-A protégé le Transistor MOSFET De SuperMESHST Microelectronics
1180905STW20NM50N-canal 500V - 0,20 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A To-247 MDMESHST Microelectronics
1180906STW20NM50N-canal 500V - Transistor MOSFET De 0,22 OHMS 18. To-247 POWERMESH IISGS Thomson Microelectronics
1180907STW20NM50FDTransistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 20A To-247 FDMESH Du N-canal 500V 0,22ST Microelectronics
1180908STW20NM50FDTransistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 20A To-247 FDMESH Du N-canal 500V 0,22SGS Thomson Microelectronics
1180909STW20NM60N-canal 600V - 0,26 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A To-247 MDMESHST Microelectronics
1180910STW20NM60Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 20A To-247 MDMESH Du N-canal 600V 0,25SGS Thomson Microelectronics
1180911STW20NM60FDTransistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 20A To-220 To-220fp To-247 FDMESH Du N-canal 600V 0,26ST Microelectronics
1180912STW21N65M5N-canal 650 V, 0,150 Ohm, 17 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans TO-247ST Microelectronics
1180913STW21N90K5N-canal 900 V, 0,25 Ohm, 18,5 Un SuperMESH TO-247 Zener protégé (TM) 5 MOSFET de puissanceST Microelectronics
1180914STW21NM60NDN-canal 600 V, 0,17 Ohm typ., 17 A, FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (diode rapide de Pentecôte) dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180915STW220NF75N-canal 75V - 0,004 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 120A To-247 STRIPFET IIST Microelectronics
1180916STW22N95K5Automobile qualité à canal N 950 V, 0,280 Ohm typ., 17,5 Zener protégées SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180917STW22NM60NN-canal 600 V, 0,2 Ohm, 16 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans TO-247ST Microelectronics
1180918STW23N85K5N-canal 850 V, 0,2 Ohm typ., 19 Zener protégées SuperMESH (TM) V MOSFET de puissance dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180919STW23NM50NN-canal 500 V, 0,162 Ohm, 17 A, TO-247 MDmesh (TM) II MOSFET de puissanceST Microelectronics
1180920STW23NM60NDN-canal 600 V, 0,150 Ohm, 19,5 A, FDmesh II MOSFET de puissance (avec diode rapide) TO-247ST Microelectronics
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