Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
1180921 | STW240NF55 | N-canal 55V - 0,0027 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 120A To-247 STRIPFET II | ST Microelectronics |
1180922 | STW24N60DM2 | N-canal 600 V, 0,175 Ohm typ., 18 A FDmesh II Plus (TM) à faible MOSFET Qg Puissance en package TO-247 | ST Microelectronics |
1180923 | STW24N60M2 | N-canal 600 V, 0,168 Ohm typ., 18 A MDmesh II Plus (TM) à faible MOSFET Qg Puissance en package TO-247 | ST Microelectronics |
1180924 | STW24NM60N | N-canal 600 V, 0,168 Ohm, 17 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance TO-247 | ST Microelectronics |
1180925 | STW25N80K5 | N-canal 800 V, 0,19 Ohm typ., 19,5 Un SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
1180926 | STW25N95K3 | N-canal 950 V, 0,32 Ohm, 22 A, TO-247 SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
1180927 | STW25NM50N | N-canal 550V @ TjMAX - 0,12 Ohms - 21,5 Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION De A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈME | ST Microelectronics |
1180928 | STW25NM60N | Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION Du N-canal 650 @Tjmax-0.140&-20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈME | ST Microelectronics |
1180929 | STW25NM60ND | N-canal 600 V, 0,13 Ohm typ., 21 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
1180930 | STW26NM50 | Le N-canal 500V - 0,10 OHMS - 2Ã To-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de MDMESH | ST Microelectronics |
1180931 | STW26NM50 | l'cOhm 2Ã To-247/max220/max220i Du N-canal 500V 0,10 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de MDMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1180932 | STW26NM60 | Le N-canal 600V - 0,125 OHMS - 2Ã To-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de MDMESH | ST Microelectronics |
1180933 | STW26NM60 | l'cOhm 2Ã To-247/max220/max220i Du N-canal 600V 0,125 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de MDMESH | SGS Thomson Microelectronics |
1180934 | STW26NM60N | N-canal 600 V, 0,135 Ohm typ., 20 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
1180935 | STW26NM60ND | N-canal 600 V, 0,145 Ohm typ., 21 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
1180936 | STW27NM60ND | N-canal 600 V, 0,13 Ohm, 21 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans TO-247 | ST Microelectronics |
1180937 | STW28N60M2 | N-canal 600 V, 0,135 Ohm typ., 22 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance en boîtier TO-247 | ST Microelectronics |
1180938 | STW28NK60Z | l'cOhm 27A To-247 Du N-canal 600V 0,155 Zener-A protégé le Transistor MOSFET De SuperMesh | ST Microelectronics |
1180939 | STW28NM50N | N-canal 500 V, 0,135 Ohm typ., 21 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
1180940 | STW28NM60ND | N-canal 600 V, 0,120 Ohm typ., 24 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
1180941 | STW29NK50Z | Le N-canal 500 V - 0,105 Ohms - 31A To-247 Zener-A protégé le Transistor MOSFET De SuperMESH | ST Microelectronics |
1180942 | STW29NK50ZD | Le N-canal 500V - 0,11 OHMS - 29A To-247 JEÛNENT Transistor MOSFET de la DIODE SUPERMESH | ST Microelectronics |
1180943 | STW30N65M5 | N-canal 650 V, 0,125 Ohm, 22 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance TO-247 | ST Microelectronics |
1180944 | STW30NF20 | N-canal 200 V, 0,065 Ohm, 30 A, TO-247 STripFET (TM) MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
1180945 | STW30NM60D | Le N-canal 600V - 0,125 OHMS - 30A To-247 JEÛNENT LA DIODE MDMESH Transistor MOSFET | ST Microelectronics |
1180946 | STW3100 | MODULE D'CÉmetteur RÉCEPTEUR | ST Microelectronics |
1180947 | STW3100E1/LF | MODULE D'CÉmetteur RÉCEPTEUR | ST Microelectronics |
1180948 | STW3100E2/LF | MODULE D'CÉmetteur RÉCEPTEUR | ST Microelectronics |
1180949 | STW3101 | MODULE D'CÉmetteur RÉCEPTEUR | ST Microelectronics |
1180950 | STW3101E1/LF | MODULE D'CÉmetteur RÉCEPTEUR | ST Microelectronics |
1180951 | STW31N65M5 | N-canal 650 V, 0,124 Ohm, 22 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
1180952 | STW32N65M5 | N-canal 650 V, 0,095 Ohm, 24 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans TO-247 | ST Microelectronics |
1180953 | STW32NM50N | N-canal 500 V, 0,1 Ohm typ., 22 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
1180954 | STW33N20 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
1180955 | STW33N20 | N - Transistor MOSFET De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
1180956 | STW33N20 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
1180957 | STW33N60M2 | N-canal 600 V, 0,108 Ohm typ., 26 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance en boîtier TO-247 | ST Microelectronics |
1180958 | STW34N65M5 | N-canal 650 V, 0,09 Ohm, 28 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
1180959 | STW34NB20 | Transistor MOSFET du MODE POWERMESH de PERFECTIONNEMENT De N-canal | ST Microelectronics |
1180960 | STW34NM60N | N-canal 600 V, 0,092 Ohm, 29 A, MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans TO-247 | ST Microelectronics |
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