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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1180921STW240NF55N-canal 55V - 0,0027 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 120A To-247 STRIPFET IIST Microelectronics
1180922STW24N60DM2N-canal 600 V, 0,175 Ohm typ., 18 A FDmesh II Plus (TM) à faible MOSFET Qg Puissance en package TO-247ST Microelectronics
1180923STW24N60M2N-canal 600 V, 0,168 Ohm typ., 18 A MDmesh II Plus (TM) à faible MOSFET Qg Puissance en package TO-247ST Microelectronics
1180924STW24NM60NN-canal 600 V, 0,168 Ohm, 17 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance TO-247ST Microelectronics
1180925STW25N80K5N-canal 800 V, 0,19 Ohm typ., 19,5 Un SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180926STW25N95K3N-canal 950 V, 0,32 Ohm, 22 A, TO-247 SuperMESH3 (TM) MOSFET de puissanceST Microelectronics
1180927STW25NM50NN-canal 550V @ TjMAX - 0,12 Ohms - 21,5 Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION De A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈMEST Microelectronics
1180928STW25NM60NTransistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION Du N-canal 650 @Tjmax-0.140&-20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈMEST Microelectronics
1180929STW25NM60NDN-canal 600 V, 0,13 Ohm typ., 21 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180930STW26NM50Le N-canal 500V - 0,10 OHMS - 2Ã To-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de MDMESHST Microelectronics
1180931STW26NM50l'cOhm 2Ã To-247/max220/max220i Du N-canal 500V 0,10 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de MDMESHSGS Thomson Microelectronics
1180932STW26NM60Le N-canal 600V - 0,125 OHMS - 2Ã To-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de MDMESHST Microelectronics
1180933STW26NM60l'cOhm 2Ã To-247/max220/max220i Du N-canal 600V 0,125 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de MDMESHSGS Thomson Microelectronics
1180934STW26NM60NN-canal 600 V, 0,135 Ohm typ., 20 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180935STW26NM60NDN-canal 600 V, 0,145 Ohm typ., 21 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180936STW27NM60NDN-canal 600 V, 0,13 Ohm, 21 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans TO-247ST Microelectronics
1180937STW28N60M2N-canal 600 V, 0,135 Ohm typ., 22 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance en boîtier TO-247ST Microelectronics
1180938STW28NK60Zl'cOhm 27A To-247 Du N-canal 600V 0,155 Zener-A protégé le Transistor MOSFET De SuperMeshST Microelectronics



1180939STW28NM50NN-canal 500 V, 0,135 Ohm typ., 21 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180940STW28NM60NDN-canal 600 V, 0,120 Ohm typ., 24 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180941STW29NK50ZLe N-canal 500 V - 0,105 Ohms - 31A To-247 Zener-A protégé le Transistor MOSFET De SuperMESHST Microelectronics
1180942STW29NK50ZDLe N-canal 500V - 0,11 OHMS - 29A To-247 JEÛNENT Transistor MOSFET de la DIODE SUPERMESHST Microelectronics
1180943STW30N65M5N-canal 650 V, 0,125 Ohm, 22 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance TO-247ST Microelectronics
1180944STW30NF20N-canal 200 V, 0,065 Ohm, 30 A, TO-247 STripFET (TM) MOSFET de puissanceST Microelectronics
1180945STW30NM60DLe N-canal 600V - 0,125 OHMS - 30A To-247 JEÛNENT LA DIODE MDMESH™ Transistor MOSFETST Microelectronics
1180946STW3100MODULE D'CÉmetteur RÉCEPTEURST Microelectronics
1180947STW3100E1/LFMODULE D'CÉmetteur RÉCEPTEURST Microelectronics
1180948STW3100E2/LFMODULE D'CÉmetteur RÉCEPTEURST Microelectronics
1180949STW3101MODULE D'CÉmetteur RÉCEPTEURST Microelectronics
1180950STW3101E1/LFMODULE D'CÉmetteur RÉCEPTEURST Microelectronics
1180951STW31N65M5N-canal 650 V, 0,124 Ohm, 22 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180952STW32N65M5N-canal 650 V, 0,095 Ohm, 24 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans TO-247ST Microelectronics
1180953STW32NM50NN-canal 500 V, 0,1 Ohm typ., 22 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180954STW33N20VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansST Microelectronics
1180955STW33N20N - Transistor MOSFET De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHESGS Thomson Microelectronics
1180956STW33N20VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dansSGS Thomson Microelectronics
1180957STW33N60M2N-canal 600 V, 0,108 Ohm typ., 26 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance en boîtier TO-247ST Microelectronics
1180958STW34N65M5N-canal 650 V, 0,09 Ohm, 28 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans TO-247 paquetST Microelectronics
1180959STW34NB20Transistor MOSFET du MODE POWERMESH de PERFECTIONNEMENT De N-canalST Microelectronics
1180960STW34NM60NN-canal 600 V, 0,092 Ohm, 29 A, MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans TO-247ST Microelectronics
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