| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1181041 | STW6NA90 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181042 | STW6NA90 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181043 | STW6NB100 | N-canal 1000V - 2,3 OHMS - 5. - Transistor MOSFET De To-247 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1181044 | STW6NB100 | N - la MANCHE 1000V - 2.3W - 5. - To-247, Transistor MOSFET De PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181045 | STW6NB90 | N - la MANCHE 900V - 1,7 Ohms - 6.Á - Transistor MOSFET De To-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181046 | STW6NB90 | Transistor MOSFET De N-canal | ST Microelectronics |
| 1181047 | STW6NC90Z | Le N-canal 900V 2.1ohm 5.À To-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | ST Microelectronics |
| 1181048 | STW6NC90Z | Le N-canal 900V 2.1ohm 5.À To-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181049 | STW70N10F4 | N-canal 100 V, 0,015 Ohm, 60 A, STripFET (TM) DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans TO-247 | ST Microelectronics |
| 1181050 | STW70N60M2 | N-canal 600 V, 0,031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
| 1181051 | STW75N15 | CHARGE STripFET™MOSFET de PORTE de l'cOhm 7Ä To-220/d2pak/to-247 Du N-canal 150V 0,02 BASSE | ST Microelectronics |
| 1181052 | STW75NF20 | N-canal 200 V, 0,028 Ohm typ., 75 A STripFET (TM) MOSFET de puissance dans TO-247 paquet | ST Microelectronics |
| 1181053 | STW75NF30 | N-canal 300 V, 0,037 Î ©, 60 A, charge faible TO-247 de porte STripFETÍ ?? 2; 2; MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1181054 | STW77N65M5 | N-canal 650 V, 0,033 Ohm, 69 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance TO-247 | ST Microelectronics |
| 1181055 | STW78N65M5 | Automobile qualité à canal N 650 V, 0,024 Ohm typ., 69 A, MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans un boîtier TO-247 | ST Microelectronics |
| 1181056 | STW7N95K3 | N-canal 950 V, 1,1 Ohm, 7.2 A, A-247, Zener-protégé SuperMESH3; MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1181057 | STW7NA100 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1181058 | STW7NA100 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181059 | STW7NA100 | N - MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE, TRANSISTORS De MOS De PUISSANCE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181060 | STW7NA80 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1181061 | STW7NA80 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181062 | STW7NA80 | N - TRANSISTOR RAPIDE De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181063 | STW7NA90 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1181064 | STW7NA90 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181065 | STW7NA90 | N - la MANCHE 900V - 1,05 Ohms - 7A - To-247/isowatt218 JEÛNENT Transistor MOSFET de PUISSANCE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181066 | STW7NB80 | N-canal 800V - 1,6 OHMS - 6.Ä - Transistor MOSFET De To-247 POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1181067 | STW7NB80 | N-canal 800V - 1,6 Ohms - 6.Ä - Transistor MOSFET De To-247 PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181068 | STW7NC80Z | Le N-canal 800V 1.öhm à To-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH | ST Microelectronics |
| 1181069 | STW7NC80Z | Le N-canal 800V 1.öhm à To-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181070 | STW7NC90Z | l'cOhm à To-247 Du N-canal 900V 1,55 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | ST Microelectronics |
| 1181071 | STW7NC90Z | l'cOhm à To-247 Du N-canal 900V 1,55 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181072 | STW7NK90Z | Le N-canal 900V - 1.56W - 5.Å To-220/fp/d2pak/to-247 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de PUISSANCE de SUPERMESH | ST Microelectronics |
| 1181073 | STW80N06-10 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | ST Microelectronics |
| 1181074 | STW80N06-10 | N - TRANSISTOR "ULTRA À HAUTE DENSITÉ" De MOS De PUISSANCE De MODE De PERFECTIONNEMENT De la MANCHE | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181075 | STW80N06-10 | VIEUX PRODUIT: NON APPROPRIÉ À NOUVEAU Concevoir-dans | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181076 | STW80NE06-10 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 80A To-247 STRIPFET Du N-canal 60V 0,0085 | ST Microelectronics |
| 1181077 | STW80NE06-10 | N - la MANCHE 60V - 0,0085 Ohms - 80A - Transistor MOSFET de PUISSANCE De ö De To-247 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181078 | STW80NE06-10 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de l'cOhm 80A To-247 STRIPFET Du N-canal 60V 0,0085 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1181079 | STW80NF06 | N-canal 60V - 0,0065 OHMS - 80A To-220/d2pak/to-247 STRIPFET™ II TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE | ST Microelectronics |
| 1181080 | STW80NF10 | Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE de l'cOhm 80A To-247 Du N-canal 100V 0,012 BAS | ST Microelectronics |
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