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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1184081T221160AMODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 64K XTaiwan Memory Technology
1184082T221160A-30JMODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 64K XTaiwan Memory Technology
1184083T221160A-30J30ns; 4,5 à 5,5; 1.0W; 64K x 16 RAM dynamique: Fast Fashion PageTM Technology
1184084T221160A-30SMODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 64K XTaiwan Memory Technology
1184085T221160A-30S30ns; 4,5 à 5,5; 1.0W; 64K x 16 RAM dynamique: Fast Fashion PageTM Technology
1184086T221160A-35JMODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 64K XTaiwan Memory Technology
1184087T221160A-35J35ns; 4,5 à 5,5; 1.0W; 64K x 16 RAM dynamique: Fast Fashion PageTM Technology
1184088T221160A-35SMODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 64K XTaiwan Memory Technology
1184089T221160A-35S35ns; 4,5 à 5,5; 1.0W; 64K x 16 RAM dynamique: Fast Fashion PageTM Technology
1184090T221NTHYRISTORS DE COMMANDE DE PHASEetc
1184091T224160BMODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 256K XTaiwan Memory Technology
1184092T224160B4,5 à 5,5; 1.2W; 256K x 16 RAM dynamique: Fast Fashion PageTM Technology
1184093T224160B-30MODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 256K XTaiwan Memory Technology
1184094T224160B-35MODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 256K XTaiwan Memory Technology
1184095T224160B-45MODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 256K XTaiwan Memory Technology
1184096T224160B-60MODE RAPIDE de PAGE de la RAM 16 DYNAMIQUE de 256K XTaiwan Memory Technology
1184097T224162-22J256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 22nsTM Technology
1184098T224162-22S256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 22nsTM Technology
1184099T224162-25J256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 25nsTM Technology



1184100T224162-25S256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 25nsTM Technology
1184101T224162-28J256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 28NSTM Technology
1184102T224162-28S256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 28NSTM Technology
1184103T224162-35J256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 35nsTM Technology
1184104T224162-35S256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 35nsTM Technology
1184105T224162-45J256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 45nsTM Technology
1184106T224162-45S256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 45nsTM Technology
1184107T224162-50J256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 50nsTM Technology
1184108T224162-50S256K x 16 EDO la page de façon dramatique, 50nsTM Technology
1184109T224162B256K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184110T224162B4,5 à 5,5; 1.0W; 256K x 16 RAM dynamique: EDO page modeTM Technology
1184111T224162B-22256K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184112T224162B-25256K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184113T224162B-28256K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184114T224162B-35256K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184115T224162B-45256K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184116T224162B-50256K X 16 MODE DYNAMIQUE de PAGE de la RAM EDOTaiwan Memory Technology
1184117T2300TRIACS SENSIBLES DE SILICIUM DE PORTEGeneral Electric Solid State
1184118T2300A2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 3 mA, Vdrom 100 V.General Electric Solid State
1184119T2300B2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 3 mA, Vdrom 200 V.General Electric Solid State
1184120T2300D2.5-A triac sensible au silicium-porte. Porte Max 3 mA, Vdrom 400 V.General Electric Solid State
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