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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1185921T6410BTRIACSMotorola
1185922T6410DTRIACSMotorola
1185923T6410MTRIACSMotorola
1185924T6410NTRIACSMotorola
1185925T6411TRIACS DU SILICIUM 30-AGeneral Electric Solid State
1185926T6411BTRIACS DU SILICIUM 30-AGeneral Electric Solid State
1185927T6411BTriac. Silicon triode bidirectionnel thyristor. 30 A RMS. Pointe répétitive à l'état de tension de 200 V.Motorola
1185928T6411DTRIACS DU SILICIUM 30-AGeneral Electric Solid State
1185929T6411DTriac. Silicon triode bidirectionnel thyristor. 30 A RMS. Pointe répétitive à l'état de tension de 400 V.Motorola
1185930T6411MTRIACS DU SILICIUM 30-AGeneral Electric Solid State
1185931T6411MTriac. Silicon triode bidirectionnel thyristor. 30 A RMS. Pointe répétitive à l'état de tension de 600 V.Motorola
1185932T6411NTRIACS DU SILICIUM 30-AGeneral Electric Solid State
1185933T6411NTriac. Silicon triode bidirectionnel thyristor. 30 A RMS. Pointe répétitive à l'état de tension de 800 V.Motorola
1185934T6420TRIACSMotorola
1185935T6420BTRIACSMotorola
1185936T6420BTriacs Du Silicium 40-AGeneral Electric Solid State
1185937T6420DTRIACSMotorola
1185938T6420DTriacs Du Silicium 40-AGeneral Electric Solid State
1185939T6420MTRIACSMotorola



1185940T6420MTriacs Du Silicium 40-AGeneral Electric Solid State
1185941T6420NTRIACSMotorola
1185942T6421TRIACS DU SILICIUM 30-AGeneral Electric Solid State
1185943T6421BTRIACS DU SILICIUM 30-AGeneral Electric Solid State
1185944T6421BTriac. Silicon triode bidirectionnel thyristor. 30 A RMS. Pointe répétitive à l'état de tension de 200 V.Motorola
1185945T6421DTRIACS DU SILICIUM 30-AGeneral Electric Solid State
1185946T6421DTriac. Silicon triode bidirectionnel thyristor. 30 A RMS. Pointe répétitive à l'état de tension de 400 V.Motorola
1185947T6421MTRIACS DU SILICIUM 30-AGeneral Electric Solid State
1185948T6421MTriac. Silicon triode bidirectionnel thyristor. 30 A RMS. Pointe répétitive à l'état de tension de 600 V.Motorola
1185949T6421NTriac. Silicon triode bidirectionnel thyristor. 30 A RMS. Pointe répétitive à l'état de tension de 800 V.Motorola
1185950T648NTHYRISTORS DE COMMANDE DE PHASEetc
1185951T6497Contrôleur du générateur à horloge pour Z80 l'unité centrale de traitement CMOSSGS-Ates Componenti Electronici S P A
1185952T6497Contrôleur du générateur à horloge pour Z80 l'unité centrale de traitement CMOSTOSHIBA
1185953T649NTHYRISTORS DE COMMANDE DE PHASEetc
1185954T666Mini taille des éléments discrets de semi-conducteurSINYORK
1185955T6668-0,3 À + 6.0V; V (in / out): -0,3 à + 0,3 V; CMOS LSI pour l'enregistrement de voix et de reproduction à l'aide du système de SMATOSHIBA
1185956T6801Le conducteur à canal unique 25 mA a produit avec la surveillance thermiqueAtmel
1185957T6801-TAQIC à canal unique de conducteur avec l'IC de conducteur avec lasurveillanceAtmel
1185958T6815BM-NFLDouble pilote de sortie Hex DMOS avec contrôle d'entrée série.Atmel
1185959T6815BM-NFLG3Double pilote de sortie Hex DMOS avec contrôle d'entrée série.Atmel
1185960T681640-V conjuguent Hexdriver avec la commande périodique d'entréeAtmel
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