| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 16881 | 1N4148 | Diodes Rapides De Commutation | Vishay |
| 16882 | 1N4148 | Diodes De Commutation | Diodes |
| 16883 | 1N4148 | Petit Signal | Hitachi Semiconductor |
| 16884 | 1N4148 | Petites Diodes De Signal | General Semiconductor |
| 16885 | 1N4148 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Chenyi Electronics |
| 16886 | 1N4148 | Petites Silicium-Diodes De Signal | Diotec Elektronische |
| 16887 | 1N4148 | Diode Planaire Épitaxiale De Silicium | Honey Technology |
| 16888 | 1N4148 | TENSION INVERSE DE DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE COMMUTATION DE SILICIUM: 75CV EXPÉDIENT LE COURANT: 150mA | Shanghai Sunrise Electronics |
| 16889 | 1N4148 | PETITE DIODE DE SIGNAL | Zowie Technology Corporation |
| 16890 | 1N4148 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION | Won-Top Electronics |
| 16891 | 1N4148 | Diode Rapide De Commutation | Comchip Technology |
| 16892 | 1N4148 | DIODE DE COMMUTATION | Compensated Devices Incorporated |
| 16893 | 1N4148 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 16894 | 1N4148 | DIODE de COMMUTATION Small-signal | Jinan Gude Electronic Device |
| 16895 | 1N4148 | Haute diode de commutation de vitesse | Formosa MS |
| 16896 | 1N4148 | DIODES DE COMMUTATION | Leshan Radio Company |
| 16897 | 1N4148 | DIODE DE SIGNAL | Rectron Semiconductor |
| 16898 | 1N4148 | 500mW Diode Épitaxiale De Silicium De 100 Volts | Micro Commercial Components |
| 16899 | 1N4148 | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DES DIODES À GRANDE VITESSE DE COMMUTATION | DC Components |
| 16900 | 1N4148 | Commutation Plombée De Diode De Silicium | Central Semiconductor |
| 16901 | 1N4148 | Diodes>Switching | Renesas |
| 16902 | 1N4148 | | Taiwan Semiconductor |
| 16903 | 1N4148 | Commutation de DIODE d'cOrdinateur | Microsemi |
| 16904 | 1N4148 | Données De Diode | National Semiconductor |
| 16905 | 1N4148 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE SILICIUM | Semtech |
| 16906 | 1N4148 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Shanghai Sunrise Electronics |
| 16907 | 1N4148 | Diodes Planaires Épitaxiales De Silicium | Temic |
| 16908 | 1N4148 | 75 V, 500 mW de diode de commutation ultra rapide de conductance élevée | BKC International Electronics |
| 16909 | 1N4148 | 10mA, 100V ultra redresseur de récupération rapide | MCC |
| 16910 | 1N4148 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 16911 | 1N4148-1 | Diode de signal ou d'ordinateur | Microsemi |
| 16912 | 1N4148-1 | , La diode de commutation de silicium de 100 V à 500 mW | BKC International Electronics |
| 16913 | 1N4148-1 | Diode de commutation 100 volts | Compensated Devices Incorporated |
| 16914 | 1N4148-1UR-1 | SPÉCIFICATIONS D'CExécution | Microsemi |
| 16915 | 1N4148-G | Diodes petits signaux de commutation, V RRM = 100 V, V R = 100 V, P D = 0mW, je F = 150mA | Comchip Technology |
| 16916 | 1N4148-T1 | Diode de commutation rapide | Won-Top Electronics |
| 16917 | 1N4148-T3 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION | Won-Top Electronics |
| 16918 | 1N4148-TB | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION | Won-Top Electronics |
| 16919 | 1N4148.1N4448 | Diodes Planaires Épitaxiales De Silicium | Temic |
| 16920 | 1N4148CSM | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE SILICIUM | SemeLAB |
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