| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 17001 | 1N4150 | Commutation Plombée De Diode De Silicium | Central Semiconductor |
| 17002 | 1N4150 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE SILICIUM | Semtech |
| 17003 | 1N4150 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Shanghai Sunrise Electronics |
| 17004 | 1N4150 | 500 mW Axial diode de commutation, 50.0V Vr, 0.100uA Ir, 1.00V Vf @ 200mA Si | Continental Device India Limited |
| 17005 | 1N4150 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 17006 | 1N4150-1 | DIODES DE COMMUTATION | Compensated Devices Incorporated |
| 17007 | 1N4150-1 | Paquet En verre De la Diode Do-35 De Commutation De Silicium | Microsemi |
| 17008 | 1N4150-1 | 75 V, la diode de commutation de silicium de 500 mW | BKC International Electronics |
| 17009 | 1N41501N457A | Paquet En verre De la Diode Do-35 De Commutation De Silicium | Microsemi |
| 17010 | 1N4150TR | Haute Diode Ultra Rapide De Conductibilité | Fairchild Semiconductor |
| 17011 | 1N4150UR-1 | Diode de signal ou d'ordinateur | Microsemi |
| 17012 | 1N4150UR-1 | DIODE DE COMMUTATION | Compensated Devices Incorporated |
| 17013 | 1N4150W | Petite Diode De Signal | Vishay |
| 17014 | 1N4150W | PETITES DIODES DE SIGNAL | General Semiconductor |
| 17015 | 1N4150W | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Won-Top Electronics |
| 17016 | 1N4150W | DIODES EXTÉRIEURES DE COMMUTATION DE BÂTI | Panjit International Inc |
| 17017 | 1N4150W-T1 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Won-Top Electronics |
| 17018 | 1N4150W-T3 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Won-Top Electronics |
| 17019 | 1N4150_S62Z | Haute Diode Ultra Rapide De Conductibilité | Fairchild Semiconductor |
| 17020 | 1N4150_T50A | Haute Diode Ultra Rapide De Conductibilité | Fairchild Semiconductor |
| 17021 | 1N4150_T50R | Haute Diode Ultra Rapide De Conductibilité | Fairchild Semiconductor |
| 17022 | 1N4151 | Diode Rapide De Commutation | Vishay |
| 17023 | 1N4151 | Diode de signal ou d'ordinateur | Microsemi |
| 17024 | 1N4151 | Diodes De Commutation | Diodes |
| 17025 | 1N4151 | PETITES DIODES DE SIGNAL | General Semiconductor |
| 17026 | 1N4151 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Chenyi Electronics |
| 17027 | 1N4151 | Petites Silicium-Diodes De Signal | Diotec Elektronische |
| 17028 | 1N4151 | Diodes Planaires Épitaxiales De Silicium | Honey Technology |
| 17029 | 1N4151 | Hautes diodes de vitesse | Philips |
| 17030 | 1N4151 | DIODE DE SIGNAL | Rectron Semiconductor |
| 17031 | 1N4151 | 500mW Diode Épitaxiale De Silicium De 75 Volts | Micro Commercial Components |
| 17032 | 1N4151 | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DES DIODES À GRANDE VITESSE DE COMMUTATION | DC Components |
| 17033 | 1N4151 | Commutation Plombée De Diode De Silicium | Central Semiconductor |
| 17034 | 1N4151 | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 17035 | 1N4151 | Données De Diode | National Semiconductor |
| 17036 | 1N4151 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE SILICIUM | Semtech |
| 17037 | 1N4151 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Shanghai Sunrise Electronics |
| 17038 | 1N4151 | 50 V, 500 mW diode à haute vitesse | BKC International Electronics |
| 17039 | 1N4151 | 500 mW Axial diode de commutation, 50.0V Vr, 0.100uA Ir, 1.00V Vf @ 50mA Si | Continental Device India Limited |
| 17040 | 1N4151 | 75V ultra redresseur de récupération rapide | MCC |
| | | |
