| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 17041 | 1N4151 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 17042 | 1N4151-1 | Diode De Commutation | Microsemi |
| 17043 | 1N4151TR | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 17044 | 1N4151W | Petite Diode De Signal | Vishay |
| 17045 | 1N4151W | PETITES DIODES DE SIGNAL | General Semiconductor |
| 17046 | 1N4151W | DIODES EXTÉRIEURES DE COMMUTATION DE BÂTI | Panjit International Inc |
| 17047 | 1N4151W-T1 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Won-Top Electronics |
| 17048 | 1N4151W-T3 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Won-Top Electronics |
| 17049 | 1N4151_T50R | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 17050 | 1N4152 | Petite Diode De Signal | Fairchild Semiconductor |
| 17051 | 1N4152 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Chenyi Electronics |
| 17052 | 1N4152 | Diodes Planaires Épitaxiales De Silicium | Honey Technology |
| 17053 | 1N4152 | DIODES PLANAIRES ÉPITAXIALES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 17054 | 1N4152 | Commutation Plombée De Diode De Silicium | Central Semiconductor |
| 17055 | 1N4152 | Commutation de DIODE d'cOrdinateur | Microsemi |
| 17056 | 1N4152 | Données De Diode | National Semiconductor |
| 17057 | 1N4152 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE SILICIUM | Semtech |
| 17058 | 1N4152 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Shanghai Sunrise Electronics |
| 17059 | 1N4152 | 30 V, 500 mW diode à haute vitesse | BKC International Electronics |
| 17060 | 1N4152 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 17061 | 1N4152_T50A | Petite Diode De Signal | Fairchild Semiconductor |
| 17062 | 1N4152_T50R | Petite Diode De Signal | Fairchild Semiconductor |
| 17063 | 1N4153 | Petite Diode De Signal | Fairchild Semiconductor |
| 17064 | 1N4153 | Diode de signal ou d'ordinateur | Microsemi |
| 17065 | 1N4153 | Diode de signal ou d'ordinateur | Microsemi |
| 17066 | 1N4153 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Chenyi Electronics |
| 17067 | 1N4153 | Diodes Planaires Épitaxiales De Silicium | Honey Technology |
| 17068 | 1N4153 | DIODES DE COMMUTATION | Compensated Devices Incorporated |
| 17069 | 1N4153 | DIODES PLANAIRES ÉPITAXIALES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 17070 | 1N4153 | Commutation Plombée De Diode De Silicium | Central Semiconductor |
| 17071 | 1N4153 | Données De Diode | National Semiconductor |
| 17072 | 1N4153 | DIODE PLANAIRE ÉPITAXIALE DE SILICIUM | Semtech |
| 17073 | 1N4153 | PETITE DIODE DE COMMUTATION DE SIGNAL | Shanghai Sunrise Electronics |
| 17074 | 1N4153 | 50 V, 500 mW diode à haute vitesse | BKC International Electronics |
| 17075 | 1N4153 | Silicon épitaxiale de type planar diode. | Panasonic |
| 17076 | 1N4153-1 | Diode de signal ou d'ordinateur | Microsemi |
| 17077 | 1N4153-1 | DIODES DE COMMUTATION | Compensated Devices Incorporated |
| 17078 | 1N4153-1 | 75 V, la diode de commutation de silicium de 500 mW | BKC International Electronics |
| 17079 | 1N4153TR | Petite Diode De Signal | Fairchild Semiconductor |
| 17080 | 1N4153UR-1 | Diode de signal ou d'ordinateur | Microsemi |
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