| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 19961 | 1N4756 | DIODES ZENER | General Semiconductor |
| 19962 | 1N4756 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM DE ÇW | Chenyi Electronics |
| 19963 | 1N4756 | Diodes Zener Planaires De Puissance De Silicium | Honey Technology |
| 19964 | 1N4756 | DIODES ZENER DE SILICIUM | EIC discrete Semiconductors |
| 19965 | 1N4756 | DIODES ZENER PLANAIRES DE PUISSANCE DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 19966 | 1N4756 | diode Zener de 1,0 watts 3,3 à 100 volts | Micro Commercial Components |
| 19967 | 1N4756 | DIODES ZENER PLANAIRES DE PUISSANCE DE SILICIUM | Surge Components |
| 19968 | 1N4756 | DIODES ZENER PLANAIRES DE PUISSANCE DE SILICIUM | Semtech |
| 19969 | 1N4756 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM DE ÇW | Shanghai Sunrise Electronics |
| 19970 | 1N4756 | 47.0V Professional Grade 1 W Diode Zener | Continental Device India Limited |
| 19971 | 1N4756 | Diode Zener 1W. 47V nominale de la tension de zener. Tolérance de 10%. | Jinan Gude Electronic Device |
| 19972 | 1N4756 | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 19973 | 1N4756 G | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 19974 | 1N4756 P | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 19975 | 1N4756(DO41) | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 19976 | 1N4756A | Diodes Zener De Puissance De Silicium | Vishay |
| 19977 | 1N4756A | Diodes Zener | Diodes |
| 19978 | 1N4756A | Diode Zener 1.0W | Comchip Technology |
| 19979 | 1N4756A | DIODE ZENER DE ÇW | Jinan Gude Electronic Device |
| 19980 | 1N4756A | Diode Zener | Formosa MS |
| 19981 | 1N4756A | DIODES ZENER DE LA SÉRIE ÇN47 | Leshan Radio Company |
| 19982 | 1N4756A | DIODE ZENER DO-41 DU ÇW 5% | Rectron Semiconductor |
| 19983 | 1N4756A | Usage universel Plombé De Diode Zener | Central Semiconductor |
| 19984 | 1N4756A | 47V, Diode Zener De 1W | Fairchild Semiconductor |
| 19985 | 1N4756A | Zener: | Taiwan Semiconductor |
| 19986 | 1N4756A | SILICIUM DIODES ZENER DE 1 WATT | Microsemi |
| 19987 | 1N4756A | DIODE ZENER DE SILICIUM DE JONCTION PASSIVÉE PAR VERRE | TRSYS |
| 19988 | 1N4756A | 47.0V Professional Grade 1 W Diode Zener | Continental Device India Limited |
| 19989 | 1N4756A | diode Zener, 500 mW, la tension de Zener 47V | Motorola |
| 19990 | 1N4756A | 47 V, 1 W, diode Zener verre passive jonction de silicium | TRANSYS Electronics Limited |
| 19991 | 1N4756A G | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 19992 | 1N4756A P | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 19993 | 1N4756A(DO41) | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 19994 | 1N4756A-G | Diodes Zener, P D = 1Watts, V Z = 47V | Comchip Technology |
| 19995 | 1N4756AUR | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 19996 | 1N4756A_T50A | 47V, Diode Zener De 1W | Fairchild Semiconductor |
| 19997 | 1N4756A_T50R | 47V, Diode Zener De 1W | Fairchild Semiconductor |
| 19998 | 1N4756B | DIODES ZENER DE LA SÉRIE ÇN47 | Leshan Radio Company |
| 19999 | 1N4756B | DIODES ZENER DE LA SÉRIE ÇN47 | Leshan Radio Company |
| 20000 | 1N4756C | Diode Zener 1W. 47V nominale de la tension de zener. 2% de tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
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