Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
21641 | 1N5224B-G | Diodes Zener, P D = 0,5 watts, V Z = 2.8V | Comchip Technology |
21642 | 1N5224B-LCC3 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
21643 | 1N5224BUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Tension Zener nominale de 2,8 V. Tolérance + -5%. | Microsemi |
21644 | 1N5224B_T50A | Diode Zener | Fairchild Semiconductor |
21645 | 1N5224B_T50R | Diode Zener | Fairchild Semiconductor |
21646 | 1N5224C | 2,8 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
21647 | 1N5224D | 2,8 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
21648 | 1N5224UR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Nominale tension Zener de 2,8 V. | Microsemi |
21649 | 1N5225 | DIODES ZENER | General Semiconductor |
21650 | 1N5225 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Chenyi Electronics |
21651 | 1N5225 | Diodes Zener Planaires De Silicium | Honey Technology |
21652 | 1N5225 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
21653 | 1N5225 | diode Zener de 500 mW 2,4 à 200 volts | Micro Commercial Components |
21654 | 1N5225 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
21655 | 1N5225 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Surge Components |
21656 | 1N5225 | SILICIUM 500 DIODES ZENER de mW | Microsemi |
21657 | 1N5225 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Semtech |
21658 | 1N5225 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Shanghai Sunrise Electronics |
21659 | 1N5225 | Pd = 500mW, Vz = 3.0V diode Zener | MCC |
21660 | 1N5225A | 3,0 V, 20 mA, diode Zener | Leshan Radio Company |
21661 | 1N5225A | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
21662 | 1N5225A (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
21663 | 1N5225A (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
21664 | 1N5225AUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Tension Zener nominale de 3,0 V. Tolérance + -10%. | Microsemi |
21665 | 1N5225B | Diodes Zener De Silicium | Vishay |
21666 | 1N5225B | Diodes Zener | Diodes |
21667 | 1N5225B | Diodes Zener pour l'alimentation d'énergie stabilisée | Hitachi Semiconductor |
21668 | 1N5225B | Diode Zener 500mw Épitaxiale | Comchip Technology |
21669 | 1N5225B | DIODE ZENER 2,4 VOLTS PAR 200VOLTS 500MCL, TOLÉRANCE DE 5% | Central Semiconductor |
21670 | 1N5225B | Diode Zener | Formosa MS |
21671 | 1N5225B | DIODES ZENER DE LA SÉRIE ÇN52 | Leshan Radio Company |
21672 | 1N5225B | Diodes de régulateur de tension | Philips |
21673 | 1N5225B | DIODE ZENER DO-35 DE 500MCW 5% | Rectron Semiconductor |
21674 | 1N5225B | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DES DIODES ZENER DE VERRE DE SILICIUM | DC Components |
21675 | 1N5225B | Diode Zener | Fairchild Semiconductor |
21676 | 1N5225B | Diodes>Zener | Renesas |
21677 | 1N5225B | 3.0V 500 mW Diode Zener | Continental Device India Limited |
21678 | 1N5225B | 500 milliwatts diode Zener de silicium de verre, la tension de Zener 3V | Motorola |
21679 | 1N5225B | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
21680 | 1N5225B (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
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