| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 21721 | 1N5226B | 3.3V 500 mW Diode Zener | Continental Device India Limited |
| 21722 | 1N5226B | 500 milliwatts diode Zener de silicium de verre, la tension de Zener de 3,3 V | Motorola |
| 21723 | 1N5226B | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 21724 | 1N5226B (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21725 | 1N5226B (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21726 | 1N5226B-G | Diodes Zener, P D = 0,5 watts, V Z = 3,3 V | Comchip Technology |
| 21727 | 1N5226B-LCC3 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 21728 | 1N5226BTR | 3.3V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21729 | 1N5226BUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Tension Zener nominale de 3,3 V. Tolérance + -5%. | Microsemi |
| 21730 | 1N5226B_T50R | 3.3V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21731 | 1N5226C | 3,3 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 21732 | 1N5226D | 3,3 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 21733 | 1N5226UR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Nominale tension Zener de 3,3 V. | Microsemi |
| 21734 | 1N5227 | DIODES ZENER | General Semiconductor |
| 21735 | 1N5227 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Chenyi Electronics |
| 21736 | 1N5227 | Diodes Zener Planaires De Silicium | Honey Technology |
| 21737 | 1N5227 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 21738 | 1N5227 | diode Zener de 500 mW 2,4 à 200 volts | Micro Commercial Components |
| 21739 | 1N5227 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 21740 | 1N5227 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Surge Components |
| 21741 | 1N5227 | SILICIUM 500 DIODES ZENER de mW | Microsemi |
| 21742 | 1N5227 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Semtech |
| 21743 | 1N5227 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Shanghai Sunrise Electronics |
| 21744 | 1N5227 | 500 mW diode Zener de silicium. Nominale tension Zener de 3,6 V. | Fairchild Semiconductor |
| 21745 | 1N5227 | Pd = 500mW, Vz = 3.6V diode Zener | MCC |
| 21746 | 1N5227A | 3,6 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 21747 | 1N5227A | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 21748 | 1N5227A (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21749 | 1N5227A (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21750 | 1N5227AUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Tension Zener nominale de 3,6 V. Tolérance + -10%. | Microsemi |
| 21751 | 1N5227B | Demi De Watt Zeners | National Semiconductor |
| 21752 | 1N5227B | Zeners | Fairchild Semiconductor |
| 21753 | 1N5227B | Diodes Zener De Silicium | Vishay |
| 21754 | 1N5227B | Diodes Zener | Diodes |
| 21755 | 1N5227B | Diodes Zener pour l'alimentation d'énergie stabilisée | Hitachi Semiconductor |
| 21756 | 1N5227B | Diode Zener 500mw Épitaxiale | Comchip Technology |
| 21757 | 1N5227B | DIODE ZENER 2,4 VOLTS PAR 200VOLTS 500MCL, TOLÉRANCE DE 5% | Central Semiconductor |
| 21758 | 1N5227B | Diode Zener | Formosa MS |
| 21759 | 1N5227B | DIODES ZENER DE LA SÉRIE ÇN52 | Leshan Radio Company |
| 21760 | 1N5227B | Diodes de régulateur de tension | Philips |
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