| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 21801 | 1N5228B | DIODE ZENER 2,4 VOLTS PAR 200VOLTS 500MCL, TOLÉRANCE DE 5% | Central Semiconductor |
| 21802 | 1N5228B | Diode Zener | Formosa MS |
| 21803 | 1N5228B | DIODES ZENER DE LA SÉRIE ÇN52 | Leshan Radio Company |
| 21804 | 1N5228B | Diodes de régulateur de tension | Philips |
| 21805 | 1N5228B | DIODE ZENER DO-35 DE 500MCW 5% | Rectron Semiconductor |
| 21806 | 1N5228B | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DES DIODES ZENER DE VERRE DE SILICIUM | DC Components |
| 21807 | 1N5228B | Diodes>Zener | Renesas |
| 21808 | 1N5228B | 3.9V 500 mW Diode Zener | Continental Device India Limited |
| 21809 | 1N5228B | 500 milliwatts diode Zener de silicium de verre, la tension de Zener de 3,9 V | Motorola |
| 21810 | 1N5228B | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 21811 | 1N5228B (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21812 | 1N5228B (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21813 | 1N5228B-G | Diodes Zener, P D = 0,5 watts, V Z = 3.9V | Comchip Technology |
| 21814 | 1N5228B-LCC3 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 21815 | 1N5228BTR | 3.9V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21816 | 1N5228BUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Tension Zener nominale de 3,9 V. Tolérance + -5%. | Microsemi |
| 21817 | 1N5228B_T50A | 3.9V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21818 | 1N5228B_T50R | 3.9V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21819 | 1N5228C | Usage universel Plombé De Diode Zener | Central Semiconductor |
| 21820 | 1N5228C | 3,9 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 21821 | 1N5228D | 3,9 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 21822 | 1N5228UR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Nominale tension Zener de 3,9 V. | Microsemi |
| 21823 | 1N5229 | DIODES ZENER | General Semiconductor |
| 21824 | 1N5229 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Chenyi Electronics |
| 21825 | 1N5229 | Diodes Zener Planaires De Silicium | Honey Technology |
| 21826 | 1N5229 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 21827 | 1N5229 | diode Zener de 500 mW 2,4 à 200 volts | Micro Commercial Components |
| 21828 | 1N5229 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 21829 | 1N5229 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Surge Components |
| 21830 | 1N5229 | SILICIUM 500 DIODES ZENER de mW | Microsemi |
| 21831 | 1N5229 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Semtech |
| 21832 | 1N5229 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Shanghai Sunrise Electronics |
| 21833 | 1N5229 | 500 mW diode Zener de silicium. Nominale tension Zener de 4,3 V. | Fairchild Semiconductor |
| 21834 | 1N5229 | Pd = 500mW, Vz = 4,3V diode Zener | MCC |
| 21835 | 1N5229A | 4,3 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 21836 | 1N5229A | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 21837 | 1N5229A (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21838 | 1N5229A (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21839 | 1N5229AUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Tension Zener nominale de 4,3 V. Tolérance + -10%. | Microsemi |
| 21840 | 1N5229B | Demi De Watt Zeners | National Semiconductor |
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