| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 21841 | 1N5229B | Zeners | Fairchild Semiconductor |
| 21842 | 1N5229B | Diodes Zener De Silicium | Vishay |
| 21843 | 1N5229B | Diodes Zener | Diodes |
| 21844 | 1N5229B | Diodes Zener pour l'alimentation d'énergie stabilisée | Hitachi Semiconductor |
| 21845 | 1N5229B | Diode Zener 500mw Épitaxiale | Comchip Technology |
| 21846 | 1N5229B | DIODE ZENER 2,4 VOLTS PAR 200VOLTS 500MCL, TOLÉRANCE DE 5% | Central Semiconductor |
| 21847 | 1N5229B | Diode Zener | Formosa MS |
| 21848 | 1N5229B | DIODES ZENER DE LA SÉRIE ÇN52 | Leshan Radio Company |
| 21849 | 1N5229B | Diodes de régulateur de tension | Philips |
| 21850 | 1N5229B | DIODE ZENER DO-35 DE 500MCW 5% | Rectron Semiconductor |
| 21851 | 1N5229B | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DES DIODES ZENER DE VERRE DE SILICIUM | DC Components |
| 21852 | 1N5229B | Diodes>Zener | Renesas |
| 21853 | 1N5229B | 4.3V 500 mW Diode Zener | Continental Device India Limited |
| 21854 | 1N5229B | 500 milliwatts diode Zener de silicium de verre, la tension de Zener de 4,3V | Motorola |
| 21855 | 1N5229B | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 21856 | 1N5229B (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21857 | 1N5229B (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 21858 | 1N5229B-G | Diodes Zener, P D = 0,5 watts, V Z = 4.3V | Comchip Technology |
| 21859 | 1N5229B-LCC3 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 21860 | 1N5229BTR | 4.3V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21861 | 1N5229BUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Tension Zener nominale de 4,3 V. Tolérance + -5%. | Microsemi |
| 21862 | 1N5229B_T26A | 4.3V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21863 | 1N5229B_T50A | 4.3V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21864 | 1N5229B_T50R | 4.3V, Diode Zener 0.5W | Fairchild Semiconductor |
| 21865 | 1N5229C | 4,3 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 21866 | 1N5229D | 4,3 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
| 21867 | 1N5229UR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Nominale tension Zener de 4,3 V. | Microsemi |
| 21868 | 1N5230 | DIODES ZENER | General Semiconductor |
| 21869 | 1N5230 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Chenyi Electronics |
| 21870 | 1N5230 | Diodes Zener Planaires De Silicium | Honey Technology |
| 21871 | 1N5230 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 21872 | 1N5230 | diode Zener de 500 mW 2,4 à 200 volts | Micro Commercial Components |
| 21873 | 1N5230 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 21874 | 1N5230 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Surge Components |
| 21875 | 1N5230 | SILICIUM 500 DIODES ZENER de mW | Microsemi |
| 21876 | 1N5230 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Semtech |
| 21877 | 1N5230 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Shanghai Sunrise Electronics |
| 21878 | 1N5230 | 500 mW diode Zener de silicium. Nominale tension Zener de 4,7 V. | Fairchild Semiconductor |
| 21879 | 1N5230 | Pd = 500mW, Vz = 4,7V diode Zener | MCC |
| 21880 | 1N5230A | 4,7 V, 20 mA, la diode zener | Leshan Radio Company |
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