| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 23161 | 1N5259 | SILICIUM 500 DIODES ZENER de mW | Microsemi |
| 23162 | 1N5259 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Semtech |
| 23163 | 1N5259 | DIODES ZENER PLANAIRES DU SILICIUM 0.5cW | Shanghai Sunrise Electronics |
| 23164 | 1N5259 | Pd = 500mW, Vz = 39V diode Zener | MCC |
| 23165 | 1N5259A | 39 V, 3,2 mA, diode Zener | Leshan Radio Company |
| 23166 | 1N5259A | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 23167 | 1N5259A (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 23168 | 1N5259A (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 23169 | 1N5259AUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Nominale Zener tension 39 V. Tolérance + -10%. | Microsemi |
| 23170 | 1N5259B | Diodes Zener De Silicium | Vishay |
| 23171 | 1N5259B | Diodes Zener | Diodes |
| 23172 | 1N5259B | Diode Zener 500mw Épitaxiale | Comchip Technology |
| 23173 | 1N5259B | DIODE ZENER 2,4 VOLTS PAR 200VOLTS 500MCL, TOLÉRANCE DE 5% | Central Semiconductor |
| 23174 | 1N5259B | Diode Zener | Formosa MS |
| 23175 | 1N5259B | DIODES ZENER DE LA SÉRIE ÇN52 | Leshan Radio Company |
| 23176 | 1N5259B | Diodes de régulateur de tension | Philips |
| 23177 | 1N5259B | DIODE ZENER DO-35 DE 500MCW 5% | Rectron Semiconductor |
| 23178 | 1N5259B | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DES DIODES ZENER DE VERRE DE SILICIUM | DC Components |
| 23179 | 1N5259B | Diode Zener | Fairchild Semiconductor |
| 23180 | 1N5259B | 39.0V 500 mW Diode Zener | Continental Device India Limited |
| 23181 | 1N5259B | 500 milliwatts diode Zener de silicium de verre, la tension de Zener 39V | Motorola |
| 23182 | 1N5259B | Zener régulateur de tension Diode | Microsemi |
| 23183 | 1N5259B (DO-35) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 23184 | 1N5259B (DO7) | Diode De Régulateur De Tension De Zener | Microsemi |
| 23185 | 1N5259B-G | Diodes Zener, P D = 0,5 watts, V Z = 39V | Comchip Technology |
| 23186 | 1N5259B-LCC3 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 23187 | 1N5259BUR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Nominale Zener tension 39 V. Tolérance + -5%. | Microsemi |
| 23188 | 1N5259B_T50A | Diode Zener | Fairchild Semiconductor |
| 23189 | 1N5259B_T50R | Diode Zener | Fairchild Semiconductor |
| 23190 | 1N5259C | 39 V, 3,2 mA, diode Zener | Leshan Radio Company |
| 23191 | 1N5259D | 39 V, 3,2 mA, diode Zener | Leshan Radio Company |
| 23192 | 1N5259UR-1 | Métallurgique surface de verre destrier 500 mW Zener. Nominale tension Zener de 39 V. | Microsemi |
| 23193 | 1N5260 | Diodes Zener Planaires De Silicium | Honey Technology |
| 23194 | 1N5260 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | GOOD-ARK Electronics |
| 23195 | 1N5260 | diode Zener de 500 mW 2,4 à 200 volts | Micro Commercial Components |
| 23196 | 1N5260 | DIODE DE RÉGULATEUR DE TENSION DE ZENER EN PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUE DE BÂTI POUR DES APPLICATIONS ÉLEVÉES DE FIABILITÉ | SemeLAB |
| 23197 | 1N5260 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Surge Components |
| 23198 | 1N5260 | DIODES ZENER | General Semiconductor |
| 23199 | 1N5260 | SILICIUM 500 DIODES ZENER de mW | Microsemi |
| 23200 | 1N5260 | DIODES ZENER PLANAIRES DE SILICIUM | Semtech |
| | | |
