| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 246321 | BAR46FILM | PETITES DIODES DE SCHOTTKY DE SIGNAL | ST Microelectronics |
| 246322 | BAR50 | Diodes de GOUPILLE De Silicium | Infineon |
| 246323 | BAR50-02L | Le plus défunt silicium Discretes - GOUPILLEZ la diode pour des applications bandswitching | Infineon |
| 246324 | BAR50-02V | Diodes de GOUPILLE - Goupille-Diode pour Bandswitching | Infineon |
| 246325 | BAR50-03W | Diodes de GOUPILLE - Goupille-Diode pour Bandswitching | Infineon |
| 246326 | BAR50-05 | Diodes de GOUPILLE De Silicium | Infineon |
| 246327 | BAR60 | Diodes de GOUPILLE de silicium (atténuateur de commutateur rf de rf pour des fréquences au-dessus de 10 mégahertz) | Siemens |
| 246328 | BAR60 | Diodes de GOUPILLE de silicium (atténuateur de commutateur rf de rf pour des fréquences au-dessus de 10 mégahertz) | Siemens |
| 246329 | BAR61 | Diodes de GOUPILLE - Commutateur de Rf, Atténuateur de Rf | Infineon |
| 246330 | BAR61 | Diodes de GOUPILLE de silicium (atténuateur de commutateur rf de rf pour des fréquences au-dessus de 10 mégahertz) | Siemens |
| 246331 | BAR63 | Diode de GOUPILLE De Silicium | Infineon |
| 246332 | BAR63 | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 246333 | BAR63-02L | Diodes de GOUPILLE - Diode de GOUPILLE | Infineon |
| 246334 | BAR63-02V | Diodes de GOUPILLE - diode à grande vitesse de commutation en ultra-petit paquet SC79 | Infineon |
| 246335 | BAR63-02W | Des diodes de GOUPILLE - GOUPILLEZ la diode pour la commutation élevée de vitesse des signaux de rf | Infineon |
| 246336 | BAR63-02W | Diode de GOUPILLE de silicium (diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse des signaux de rf, de la basse résistance vers l'avant, inductance de petite capacité de la petite) | Siemens |
| 246337 | BAR63-03 | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 246338 | BAR63-03W | Des diodes de GOUPILLE - GOUPILLEZ la diode pour la commutation élevée de vitesse des signaux de rf | Infineon |
| 246339 | BAR63-03W | Diode de GOUPILLE De Silicium | Infineon |
| 246340 | BAR63-03W | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 246341 | BAR63-04 | Des diodes de GOUPILLE - GOUPILLEZ la diode pour la commutation élevée de vitesse des signaux de rf | Infineon |
| 246342 | BAR63-04 | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 246343 | BAR63-04W | Des diodes de GOUPILLE - GOUPILLEZ la diode pour la commutation élevée de vitesse des signaux de rf | Infineon |
| 246344 | BAR63-04W | Diode de GOUPILLE de silicium (diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse capacité très basse vers l'avant de résistance de signal de rf de la basse pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 246345 | BAR63-05 | Des diodes de GOUPILLE - GOUPILLEZ la diode pour la commutation élevée de vitesse des signaux de rf | Infineon |
| 246346 | BAR63-05 | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 246347 | BAR63-05W | Des diodes de GOUPILLE - GOUPILLEZ la diode pour la commutation élevée de vitesse des signaux de rf | Infineon |
| 246348 | BAR63-05W | Diode de GOUPILLE de silicium (diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse capacité très basse vers l'avant de résistance de signal de rf de la basse pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 246349 | BAR63-06 | Des diodes de GOUPILLE - GOUPILLEZ la diode pour la commutation élevée de vitesse des signaux de rf | Infineon |
| 246350 | BAR63-06 | Diode de GOUPILLE de silicium (la diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse du rf signale la basse capacité très basse vers l'avant de résistance pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 246351 | BAR63-06W | Des diodes de GOUPILLE - GOUPILLEZ la diode pour la commutation élevée de vitesse des signaux de rf | Infineon |
| 246352 | BAR63-06W | Diode de GOUPILLE de silicium (diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse capacité très basse vers l'avant de résistance de signal de rf de la basse pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 246353 | BAR63-07L4 | Diodes pour des applications de commutation jusqu'à 3GHz | Infineon |
| 246354 | BAR63-W | Diode de GOUPILLE de silicium (diode de GOUPILLE pour la commutation à grande vitesse capacité très basse vers l'avant de résistance de signal de rf de la basse pour des fréquences jusqu'à 3 gigahertz) | Siemens |
| 246355 | BAR63J | DIODE DE GOUPILLE | ST Microelectronics |
| 246356 | BAR63JFILM | DIODE DE GOUPILLE | ST Microelectronics |
| 246357 | BAR63V-02V | Diode de GOUPILLE de rf - choisissez dans Sod-523 | Vishay |
| 246358 | BAR63V-03 | Diode de GOUPILLE de rf - choisissez dans Sot-23 | Vishay |
| 246359 | BAR63V-03W | Diode de GOUPILLE de rf - choisissez dans Sot-323 | Vishay |
| 246360 | BAR63V-04 | Des diodes de GOUPILLE de rf - conjuguent, les séries dans Sot-23 | Vishay |
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