| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 246961 | BAS40TW | Diodes De Schottky | Diodes |
| 246962 | BAS40TW-7-F | SURFACE MOUNT barrière de Schottky réseaux de diodes | Diodes |
| 246963 | BAS40V | SURFACE MOUNT DUAL Barrière de Schottky Diode | Diodes |
| 246964 | BAS40V-7 | SURFACE MOUNT DUAL Barrière de Schottky Diode | Diodes |
| 246965 | BAS40W | Diodes de barrière de Schottky doubles) ( | Philips |
| 246966 | BAS40W | Diodes De Schottky | Diodes |
| 246967 | BAS40W | Diode de Schottky de silicium (diodes d'usage universel pour la tension élevée de protection de circuit de commutation de vitesse maintenant) | Siemens |
| 246968 | BAS40W | Diodes Schottky à usage général | NXP Semiconductors |
| 246969 | BAS40W-04 | Diodes De Schottky | Diodes |
| 246970 | BAS40W-04-7 | DIODE DE BARRIÈRE EXTÉRIEURE DE SCHOTTKY DE BÂTI | Diodes |
| 246971 | BAS40W-04-7-F | SURFACE MOUNT Barrière de Schottky Diode | Diodes |
| 246972 | BAS40W-05 | Diodes De Schottky | Diodes |
| 246973 | BAS40W-05-7 | DIODE DE BARRIÈRE EXTÉRIEURE DE SCHOTTKY DE BÂTI | Diodes |
| 246974 | BAS40W-05-7-F | SURFACE MOUNT Barrière de Schottky Diode | Diodes |
| 246975 | BAS40W-06 | Diodes De Schottky | Diodes |
| 246976 | BAS40W-06-7 | DIODE DE BARRIÈRE EXTÉRIEURE DE SCHOTTKY DE BÂTI | Diodes |
| 246977 | BAS40W-06-7-F | SURFACE MOUNT Barrière de Schottky Diode | Diodes |
| 246978 | BAS40W-7 | DIODE DE BARRIÈRE EXTÉRIEURE DE SCHOTTKY DE BÂTI | Diodes |
| 246979 | BAS40W-7-F | SURFACE MOUNT Barrière de Schottky Diode | Diodes |
| 246980 | BAS40XY | Diodes Schottky à usage général | NXP Semiconductors |
| 246981 | BAS416 | diode de Bas-fuite | Philips |
| 246982 | BAS416 | BAS416; diode de Bas-fuite | Philips |
| 246983 | BAS416 | Diode à faible fuite | NXP Semiconductors |
| 246984 | BAS45A | diode de Bas-fuite | Philips |
| 246985 | BAS45AL | diode de Bas-fuite | Philips |
| 246986 | BAS516 | Haute diode de vitesse | Philips |
| 246987 | BAS516 | Haute diode de vitesse | Leshan Radio Company |
| 246988 | BAS516 | Diodes de commutation à grande vitesse | NXP Semiconductors |
| 246989 | BAS52 | Diode De Schottky De Silicium | Infineon |
| 246990 | BAS52-02V | Diodes de Schottky - basse rectification courante et diode à grande vitesse de Schottky de commutation | Infineon |
| 246991 | BAS521 | Diode à haute tension de commutation | Philips |
| 246992 | BAS521 | BAS521; Diode à haute tension de commutation | Philips |
| 246993 | BAS521 | Diode de commutation à haute tension unique | NXP Semiconductors |
| 246994 | BAS521 | Discrets - Diodes (moins de 0,5) - Diodes de commutation | Diodes |
| 246995 | BAS521-7 | Discrets - Diodes (moins de 0,5) - Diodes de commutation | Diodes |
| 246996 | BAS521-HF | Diodes de commutation sans halogène, V RRM = 300 V, V R = 300 V, P D = 500mW, je F = 250mA | Comchip Technology |
| 246997 | BAS521LP | Discrets - Diodes (moins de 0,5) - Diodes de commutation | Diodes |
| 246998 | BAS521LP-7 | Discrets - Diodes (moins de 0,5) - Diodes de commutation | Diodes |
| 246999 | BAS55 | Haute diode de vitesse | Philips |
| 247000 | BAS56 | Double diode de vitesse élevée | Philips |
| | | |
