| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 248641 | BAW56T-7 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Diodes |
| 248642 | BAW56T-7 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Diodes |
| 248643 | BAW56T-7-F | Diodes de commutation | Diodes |
| 248644 | BAW56TT1 | Diode Duelle De Commutation | ON Semiconductor |
| 248645 | BAW56TT1-D | Diode Duelle De Commutation | ON Semiconductor |
| 248646 | BAW56U | Diodes tout usage - rangée de diode de commutation de silicium pour la commutation élevée de vitesse | Infineon |
| 248647 | BAW56W | Double diode de vitesse élevée | Philips |
| 248648 | BAW56W | Diodes De Commutation | Diodes |
| 248649 | BAW56W | Diodes tout usage - rangée de diode de commutation de silicium avec la cathode commune | Infineon |
| 248650 | BAW56W | Rangée de diode de commutation de silicium (pour l'anode commune d'applications à grande vitesse de commutation) | Siemens |
| 248651 | BAW56W | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Won-Top Electronics |
| 248652 | BAW56W | Diode Extérieure De Commutation De Bâti | Comchip Technology |
| 248653 | BAW56W | DIODES EXTÉRIEURES DE COMMUTATION DE BÂTI | Panjit International Inc |
| 248654 | BAW56W | Diode Commune De Commutation De l'Anode DL | ON Semiconductor |
| 248655 | BAW56W | Diodes de commutation à grande vitesse | NXP Semiconductors |
| 248656 | BAW56W-7 | PETIT TRANSISTOR DE SIGNAL DE PNP DE BÂTI DUEL DE SURFACE | Diodes |
| 248657 | BAW56W-7-F | Diodes de commutation | Diodes |
| 248658 | BAW56W-T1 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Won-Top Electronics |
| 248659 | BAW56W-T3 | DIODE RAPIDE DE COMMUTATION DE BÂTI EXTÉRIEUR | Won-Top Electronics |
| 248660 | BAW56WT1 | Diodes Duelles De Commutation | Leshan Radio Company |
| 248661 | BAW56WT1 | Diode Duelle De Commutation | Motorola |
| 248662 | BAW56WT1 | Diode Commune De Commutation De l'Anode DL | ON Semiconductor |
| 248663 | BAW56WT1-D | Diode Duelle De Commutation | ON Semiconductor |
| 248664 | BAW56_D87Z | Haute Diode Ultra Rapide De Conductibilité | Fairchild Semiconductor |
| 248665 | BAW62 | Haute diode de vitesse | Philips |
| 248666 | BAW62 | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 248667 | BAW62_T50A | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 248668 | BAW62_T50R | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 248669 | BAW74 | Petite Diode De Signal | Fairchild Semiconductor |
| 248670 | BAW74 | ANODE À GRANDE VITESSE DE TERRAIN COMMUNAL DE PAIRE DE DIODE DE LA COMMUTATION SOT23 | Zetex Semiconductors |
| 248671 | BAW74-W74 | ANODE À GRANDE VITESSE DE TERRAIN COMMUNAL DE PAIRE DE DIODE DE LA COMMUTATION SOT23 | Zetex Semiconductors |
| 248672 | BAW74_D87Z | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 248673 | BAW75 | Diode De Commutation | Vishay |
| 248674 | BAW75 | Diodes Small-Signal | General Semiconductor |
| 248675 | BAW756DW | 100V; montage en surface de quad 300mA swithcing barrette de diodes. Pour les applications de commutation à usage général | Diodes |
| 248676 | BAW76 | Diode De Commutation | Vishay |
| 248677 | BAW76 | Diodes Small-Signal | General Semiconductor |
| 248678 | BAW76 | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 248679 | BAW76TR | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
| 248680 | BAW76_T50R | La Conductibilité Élevée Jeûnent Diode | Fairchild Semiconductor |
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