| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 248761 | BB-HJ333-C | D'orange douce, montage en surface clignotant lampe de puce LED | Yellow Stone Corp |
| 248762 | BB-HK033-C | Super jaune, montage en surface clignotant lampe de puce LED | Yellow Stone Corp |
| 248763 | BB-HW133-C | Vert pur, montage en surface clignotant lampe de puce LED | Yellow Stone Corp |
| 248764 | BB-HX133-C | Salut-eff vert, montage en surface clignotant lampe de puce LED | Yellow Stone Corp |
| 248765 | BB-HY033-C | Montage jaune, surface clignotant lampe de puce LED | Yellow Stone Corp |
| 248766 | BB0502X7R104M16VNT9820 | Conducteur Optique Du Modulateur 9.9-11.2Gb/s | TriQuint Semiconductor |
| 248767 | BB1 | Transistor épitaxial de TRANSISTOR de sur-morceau de silicium COMPOSÉ de la résistance NPN pour la commutation de mi-vitesse | NEC |
| 248768 | BB101C | Construction en polarisant l'amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248769 | BB101C | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248770 | BB101C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248771 | BB101M | Construction en polarisant l'amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248772 | BB101M | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248773 | BB101M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248774 | BB102C | Construction en polarisant l'amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248775 | BB102C | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248776 | BB102M | Construction en polarisant l'amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248777 | BB102M | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248778 | BB104 | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248779 | BB104B | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248780 | BB104G | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248781 | BB105 | Diodes De Signal Planaires De Silicium | Iskra Semic |
| 248782 | BB105A | Warikap | Ultra CEMI |
| 248783 | BB105A | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248784 | BB105AD | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248785 | BB105B | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248786 | BB105G | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248787 | BB105G | Warikap | Ultra CEMI |
| 248788 | BB105GD | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248789 | BB109 | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248790 | BB1110B | RÉSEAUX DE TERMINATEUR DE DDR SDRAM. | BI Technologies |
| 248791 | BB1110TB | RÉSEAUX DE TERMINATEUR DE DDR SDRAM. | BI Technologies |
| 248792 | BB112 | Diode Variable De Capacité De Silicium | Infineon |
| 248793 | BB112 | Diode variable de capacité de silicium (pour chaîne d'accord indiquée par applications d'accord de AM 1 ¦ 8,0 V) | Siemens |
| 248794 | BB119 | Diode variable de capacité | Philips |
| 248795 | BB130 | Diode variable de capacité de AM | Philips |
| 248796 | BB131 | Diode variable de capacité de VHF | Philips |
| 248797 | BB131 | diode à capacité variable de type VHF | NXP Semiconductors |
| 248798 | BB132 | Diode variable de capacité de VHF | Philips |
| 248799 | BB132 | Diode Variable De Capacité de VHF | Leshan Radio Company |
| 248800 | BB133 | Diode variable de capacité de VHF | Philips |
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