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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
249481BC168B0.300W usage général NPN Transistor plastique plomb. 20V VCEO, 0.100A Ic, 180-460 hFEContinental Device India Limited
249482BC168C0.300W usage général NPN Transistor plastique plomb. 20V VCEO, 0.100A Ic, 380-800 hFEContinental Device India Limited
249483BC169TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPNMicro Electronics
249484BC1690.300W usage général NPN Transistor plastique plomb. 20V VCEO, 0.050A Ic, 120-800 hFEContinental Device India Limited
249485BC169B0.300W usage général NPN Transistor plastique plomb. 20V VCEO, 0.050A Ic, 180-460 hFEContinental Device India Limited
249486BC169C0.300W usage général NPN Transistor plastique plomb. 20V VCEO, 0.050A Ic, 380-800 hFEContinental Device India Limited
249487BC171TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE HAUT DE GAIN DE NPN BAS SILICIUM DE BRUITMicro Electronics
249488BC1710.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120-800 hFEContinental Device India Limited
249489BC171A0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFEContinental Device India Limited
249490BC171B0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.100A Ic, 180-460 hFEContinental Device India Limited
249491BC172TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE HAUT DE GAIN DE NPN BAS SILICIUM DE BRUITMicro Electronics
249492BC1720.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120-800 hFEContinental Device India Limited
249493BC172A0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFEContinental Device India Limited
249494BC172B0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.100A Ic, 180-460 hFEContinental Device India Limited
249495BC172C0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.100A Ic, 380-800 hFEContinental Device India Limited
249496BC173TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE HAUT DE GAIN DE NPN BAS SILICIUM DE BRUITMicro Electronics
249497BC1740.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 65V VCEO, 0.100A Ic, 120-450 hFEContinental Device India Limited
249498BC174A0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 65V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFEContinental Device India Limited



249499BC174B0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 65V VCEO, 0.100A Ic, 180-460 hFEContinental Device India Limited
249500BC177AMPLIFICATEURS AUDIO TOUT USAGE DE BAS BRUITST Microelectronics
249501BC177Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de TranzystorUltra CEMI
249502BC177Mocy krzemowy de ma³ej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de ma³ejUltra CEMI
249503BC177TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNPMicro Electronics
249504BC177AMPLIFICATEURS AUDIO TOUT USAGE DE BAS BRUITSGS Thomson Microelectronics
249505BC177TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNPSiemens
249506BC177Transistor d'usage universel de PNPPhilips
249507BC1770.600W usage général PNP métal peut transistor. 45V VCEO, 0,200A Ic, 120-460 hFE.Continental Device India Limited
249508BC177ATRANSISTORS DE SILICIUM DE PNPSiemens
249509BC177ATransistor d'usage universel de PNPPhilips
249510BC177A0.600W usage général PNP métal peut transistor. 45V VCEO, 0,200A Ic, 120-220 hFE.Continental Device India Limited
249511BC177BAMPLIFICATEURS AUDIO TOUT USAGE DE BAS BRUITST Microelectronics
249512BC177BTRANSISTORS DE SILICIUM DE PNPSiemens
249513BC177BTransistor d'usage universel de PNPPhilips
249514BC177B0.600W usage général PNP métal peut transistor. 45V VCEO, 0,200A Ic, 180-460 hFE.Continental Device India Limited
249515BC177C0.600W usage général PNP métal peut transistor. 45V VCEO, 0,200A Ic, 380-800 hFE.Continental Device India Limited
249516BC178Mocy krzemowy de ma³ej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de ma³ejUltra CEMI
249517BC178Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de TranzystorUltra CEMI
249518BC178TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNPMicro Electronics
249519BC178TRANSISTORS DE SILICIUM DE PNPSiemens
249520BC1780.600W usage général PNP métal peut transistor. 25V VCEO, 0,200A Ic, 120-800 hFE.Continental Device India Limited
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