Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
249801 | BC307-D | Silicium Des Transistors PNP D'Amplificateur | ON Semiconductor |
249802 | BC307A | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Fairchild Semiconductor |
249803 | BC307A | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Fairchild Semiconductor |
249804 | BC307A | 1.000W usage général PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
249805 | BC307ABU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
249806 | BC307ATA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
249807 | BC307B | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
249808 | BC307B | Amplificateur Transistors(PNP) | Motorola |
249809 | BC307B | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
249810 | BC307B | Silicium PNP De Transistor | ON Semiconductor |
249811 | BC307B | 0.350W usage général PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.100A Ic, 200-460 hFE | Continental Device India Limited |
249812 | BC307BBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
249813 | BC307BRL1 | Silicium PNP De Transistor | ON Semiconductor |
249814 | BC307BTA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
249815 | BC307BTF | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
249816 | BC307BTFR | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
249817 | BC307BU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
249818 | BC307BZL1 | Silicium PNP De Transistor | ON Semiconductor |
249819 | BC307C | Amplificateur Transistors(PNP) | Motorola |
249820 | BC307C | Plastique PNP De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
249821 | BC307C | 1.000W usage général PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE | Continental Device India Limited |
249822 | BC307CBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
249823 | BC307CZL1 | Amplificateur transistor PNP | ON Semiconductor |
249824 | BC308 | Applications de commutation et d'amplificateur | Fairchild Semiconductor |
249825 | BC308 | Transistor Tout usage | Korea Electronics (KEC) |
249826 | BC308 | Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
249827 | BC308 | TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
249828 | BC308 | 1.000W usage général PNP Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
249829 | BC308 | Transistor. les applications de commutation et d'amplification. Tension collecteur-base VCBO = -30V. Tension collecteur-émetteur VCEO = -25V. Tension émetteur-base Vebo = 5V. Collector dissipation Pc (max) = 500 mW. Courant de collecteur | USHA India LTD |
249830 | BC308A | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
249831 | BC308A | 1.000W usage général PNP Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
249832 | BC308ABU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
249833 | BC308ATA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
249834 | BC308ATF | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
249835 | BC308ATFR | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
249836 | BC308B | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Fairchild Semiconductor |
249837 | BC308B | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Fairchild Semiconductor |
249838 | BC308B | 1.000W usage général PNP Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 0.100A Ic, 200-460 hFE | Continental Device India Limited |
249839 | BC308BBU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
249840 | BC308BTA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
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