| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 250921 | BC635-10 | Transistors NPN de puissance moyenne | Philips |
| 250922 | BC635-16 | Transistors de puissance moyens de NPN | Philips |
| 250923 | BC635-16 | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 1.000A Ic, 100-250 hFE | Continental Device India Limited |
| 250924 | BC635-AP | PETIT TRANSISTOR DU SIGNAL NPN | ST Microelectronics |
| 250925 | BC635-AP | Petit signal transistor NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 250926 | BC635-D | Haut Silicium Courant Des Transistors NPN | ON Semiconductor |
| 250927 | BC635RL1 | Haut Transistor Courant | ON Semiconductor |
| 250928 | BC635ZL1 | Haut Transistor Courant | ON Semiconductor |
| 250929 | BC635_D26Z | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250930 | BC635_D27Z | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250931 | BC635_D75Z | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250932 | BC635_L34Z | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250933 | BC636 | Transistors de puissance moyens de PNP | Philips |
| 250934 | BC636 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250935 | BC636 | PETIT TRANSISTOR DU SIGNAL PNP | ST Microelectronics |
| 250936 | BC636 | Transistor d'Af De Silicium de PNP | Infineon |
| 250937 | BC636 | TRANSISTORS DE SILICIUM | Micro Electronics |
| 250938 | BC636 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (courant de collecteur élevé élevé de gain courant) | Siemens |
| 250939 | BC636 | Hauts Transistors Courants | Motorola |
| 250940 | BC636 | Haut Silicium Courant De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 250941 | BC636 | 0.800W usage général PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 1.000A Ic, 40 - 250 hFE | Continental Device India Limited |
| 250942 | BC636 | Petit signal transistor PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 250943 | BC636 | Transistor. les applications de commutation et d'amplification. VceR = -45V, Vces = -45V, VCEO = -45V, Vebo = 5V, Pc = 1W, Ic = -1A. | USHA India LTD |
| 250944 | BC636-10 | Transistors de puissance moyens de PNP | Philips |
| 250945 | BC636-10 | 0.800W usage général PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 1.000A Ic, 25 HFE - | Continental Device India Limited |
| 250946 | BC636-16 | Transistors de puissance moyens de PNP | Philips |
| 250947 | BC636-16ZL1 | Hauts Transistors Courants | ON Semiconductor |
| 250948 | BC636-16ZL1 | Hauts Transistors Courants | ON Semiconductor |
| 250949 | BC636-AP | PETIT TRANSISTOR DU SIGNAL PNP | ST Microelectronics |
| 250950 | BC636-AP | Petit signal transistor PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 250951 | BC636-D | Haut Silicium Courant Des Transistors PNP | ON Semiconductor |
| 250952 | BC636BU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250953 | BC636TA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250954 | BC636TAR | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250955 | BC636TF | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250956 | BC636TFR | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250957 | BC636ZL1 | Hauts Transistors Courants | ON Semiconductor |
| 250958 | BC636ZL1 | Hauts Transistors Courants | ON Semiconductor |
| 250959 | BC637 | Transistors de puissance moyens de NPN | Philips |
| 250960 | BC637 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
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