| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 251041 | BC640_J61Z | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251042 | BC646BDW1T1 | Transistors(NPN Tout usage Duel Conjugue) | Leshan Radio Company |
| 251043 | BC647BDW1T1 | Transistors(NPN Tout usage Duel Conjugue) | Leshan Radio Company |
| 251044 | BC647CDW1T1 | Transistors(NPN Tout usage Duel Conjugue) | Leshan Radio Company |
| 251045 | BC648BDW1T1 | Transistors(NPN Tout usage Duel Conjugue) | Leshan Radio Company |
| 251046 | BC648CDW1T1 | Transistors(NPN Tout usage Duel Conjugue) | Leshan Radio Company |
| 251047 | BC68-25PA | 20 V, 2 A transistor NPN moyen de puissance | NXP Semiconductors |
| 251048 | BC68PA | 20 V, 2 A transistor NPN moyen de puissance | NXP Semiconductors |
| 251049 | BC69-16PA | 20 V, 2 A PNP transistor de puissance moyenne | NXP Semiconductors |
| 251050 | BC69-25PA | 20 V, 2 A PNP transistor de puissance moyenne | NXP Semiconductors |
| 251051 | BC69PA | 20 V, 2 A PNP transistor de puissance moyenne | NXP Semiconductors |
| 251052 | BC727 | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS D'CAf DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
| 251053 | BC728 | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS D'CAf DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
| 251054 | BC737 | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS D'CAf DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
| 251055 | BC738 | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS D'CAf DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
| 251056 | BC807 | Transistor d'usage universel de PNP | Philips |
| 251057 | BC807 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251058 | BC807 | Transistor Tout usage | Korea Electronics (KEC) |
| 251059 | BC807 | Petits Transistors De Signal (PNP) | Vishay |
| 251060 | BC807 | TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 251061 | BC807 | Petits Transistors De Signal (PNP) | General Semiconductor |
| 251062 | BC807 | Transistor d'Af De Silicium de PNP | Infineon |
| 251063 | BC807 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 251064 | BC807 | Transistor de silicium de PNP (application courante élevée de commutation d'application) | AUK Corp |
| 251065 | BC807 | Silicium Tout usage De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 251066 | BC807 | TRANSISTOR DE BÂTI DE SURFACE DE PNP | Diodes |
| 251067 | BC807 | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 251068 | BC807 | 45 V, 500 mA PNP transistors à usage général | NXP Semiconductors |
| 251069 | BC807 | 0.250W usage général PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0,500A Ic, 40 hFE. BC817 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 251070 | BC807-16 | Transistor d'usage universel de PNP | Philips |
| 251071 | BC807-16 | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 251072 | BC807-16 | TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 251073 | BC807-16 | Transistors Bipolaires | Diodes |
| 251074 | BC807-16 | Transistors tout usage - paquet SOT23 | Infineon |
| 251075 | BC807-16 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 251076 | BC807-16 | Transistors, & de Rf; Af | Vishay |
| 251077 | BC807-16 | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 251078 | BC807-16 | 45 V, 500 mA PNP transistors à usage général | NXP Semiconductors |
| 251079 | BC807-16 | 0.250W usage général PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0,500A Ic, 100-250 hFE. BC817-16 complémentaire | Continental Device India Limited |
| 251080 | BC807-16 | Petits signaux Transistor (PNP) | General Semiconductor |
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