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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
251321BC817-25WDiscrets - transistors bipolaires - Transistor (BJT) Tableau de Master - Transistors 30V à 50VDiodes
251322BC817-40Transistor d'usage universel de NPNPhilips
251323BC817-40Amplificateur D'Usage universel de NPNNational Semiconductor
251324BC817-40Amplificateur D'Usage universel de NPNFairchild Semiconductor
251325BC817-40PETIT TRANSISTOR DU SIGNAL NPNST Microelectronics
251326BC817-40TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPNZetex Semiconductors
251327BC817-40Transistors BipolairesDiodes
251328BC817-40Transistors tout usage - transistor d'cAf de silicium de NPN pour des applications générales d'cAfInfineon
251329BC817-40PETIT TRANSISTOR DU SIGNAL NPNSGS Thomson Microelectronics
251330BC817-40Transistors d'Af De Silicium de NPNSiemens
251331BC817-40Petit Transistor 310mW De Signal de NPNMicro Commercial Components
251332BC817-40Transistors, & de Rf; AfVishay
251333BC817-40Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-ÉpitaxialDiotec Elektronische
251334BC817-40TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE NPN PETITTRSYS
251335BC817-4045 V, 500 mA NPN transistors à usage généralNXP Semiconductors
251336BC817-400.250W usage général NPN SMD transistor. 45V VCEO, 0,500A Ic, 250-600 hFE. BC807-40 complémentaireContinental Device India Limited
251337BC817-40Petits signaux Transistor (NPN)General Semiconductor
251338BC817-40Ic = 800mA, Vce = transistor de 1.0VMCC
251339BC817-40Montage en surface NPN petit transistor de signalTRANSYS Electronics Limited



251340BC817-40-7TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE NPN PETITDiodes
251341BC817-40-7-FTransistors bipolairesDiodes
251342BC817-40-GTransistor de But, V CBO = 50V, V PDG = 45V, V EBO = 5V, je C = 0,5Comchip Technology
251343BC817-40LPlastique De Transistor De SiliciumON Semiconductor
251344BC817-40LT1Silicium Tout usage De Transistors(NPN)Leshan Radio Company
251345BC817-40LT1L'CAffaire 318-08, DÉNOMMENT 6 SOT-23 (TO-23ãb)Motorola
251346BC817-40LT1Plastique De Transistor De SiliciumON Semiconductor
251347BC817-40LT1GPlastique De Transistor De SiliciumON Semiconductor
251348BC817-40LT3Plastique De Transistor De SiliciumON Semiconductor
251349BC817-40Q-13-FTransistors bipolairesDiodes
251350BC817-40Q-7-FTransistors bipolairesDiodes
251351BC817-40QA45 V, 500 mA NPN transistors à usage généralNXP Semiconductors
251352BC817-40WTransistor d'usage universel de NPNPhilips
251353BC817-40WTransistor d'cAf de silicium de NPN (pour le gain courant élevé élevé de courant de collecteur d'applications générales d'cAf)Siemens
251354BC817-40WTransistors simples d'cAf pour des applications tout usageInfineon
251355BC817-40W45 V, 500 mA NPN transistors à usage généralNXP Semiconductors
251356BC817-40WDiscrets - transistors bipolaires - Transistor (BJT) Tableau de Master - Transistors 30V à 50VDiodes
251357BC817-40W-7Discrets - transistors bipolaires - Transistor (BJT) Tableau de Master - Transistors 30V à 50VDiodes
251358BC81716TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPNZetex Semiconductors
251359BC81716LT1L'CAffaire 318-08, DÉNOMMENT 6 SOT-23 (TO-23ãb)Motorola
251360BC81716MTFTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
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