Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
251921 | BC848AW | Transistor d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur la basse) | Siemens |
251922 | BC848AW | Transistor Tout usage NPN | ON Semiconductor |
251923 | BC848AW | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
251924 | BC848AW | Transistor NPN à des fins générales et les applications de commutation | Korea Electronics (KEC) |
251925 | BC848AW-7-F | Transistors bipolaires | Diodes |
251926 | BC848AW-G | Petits signaux Transistor, V CBO = 30V, V PDG = 30V, V EBO = 5V, je C = 0.1A | Comchip Technology |
251927 | BC848AWT1 | Silicium Tout usage De Transistors(NPN) | Leshan Radio Company |
251928 | BC848AWT1 | L'CAffaire 419-02, DÉNOMMENT 3 SOT-323/sc-70 | Motorola |
251929 | BC848AWT1 | Transistor Tout usage NPN | ON Semiconductor |
251930 | BC848B | Transistors d'usage universel de NPN | Philips |
251931 | BC848B | Transistors d'usage universel de NPN | Philips |
251932 | BC848B | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
251933 | BC848B | Transistors Bipolaires | Diodes |
251934 | BC848B | Petits Transistors De Signal (NPN) | General Semiconductor |
251935 | BC848B | Transistors tout usage - paquet SOT323 | Infineon |
251936 | BC848B | SILICIUM DE L'CUsage UNIVERSEL TRANSISITOR NPN | Zowie Technology Corporation |
251937 | BC848B | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
251938 | BC848B | Petit Transistor 310mW De Signal de NPN | Micro Commercial Components |
251939 | BC848B | Petit Usage universel Amplifier/Switch Du Transistor NPN De Signal de SMD | Central Semiconductor |
251940 | BC848B | Transistors, & de Rf; Af | Vishay |
251941 | BC848B | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
251942 | BC848B | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE NPN PETIT | TRSYS |
251943 | BC848B | 30 V, 100 mA NPN transistors à usage général | NXP Semiconductors |
251944 | BC848B | 0.250W usage général NPN SMD transistor. 30V VCEO, 0.100A Ic, 200-450 hFE. BC858B complémentaire | Continental Device India Limited |
251945 | BC848B | Transistor NPN à des fins générales et les applications de commutation | Korea Electronics (KEC) |
251946 | BC848B | Ic = 100mA, Vce = transistor de 5.0V | MCC |
251947 | BC848B | Transistor NPN à usage général | ROHM |
251948 | BC848B | 30 V, NPN surface de montage petit transistor de signal | TRANSYS Electronics Limited |
251949 | BC848B(Z) | SOT23 NPN SILICON PLANAR GÉNÉRALES TRANSISTORS DE BUT | Diodes |
251950 | BC848B,C | > de transistors; Petit signal Transistors(up bipolaire à 0.6W) | ROHM |
251951 | BC848B-1K | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Unknow |
251952 | BC848B-1K | SILICIUM DE SOT23 NPN PLANAIRE | Zetex Semiconductors |
251953 | BC848B-1K | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Unknow |
251954 | BC848B-1K | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Unknow |
251955 | BC848B-1K | SILICIUM DE SOT23 NPN PLANAIRE | Zetex Semiconductors |
251956 | BC848B-1K | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Unknow |
251957 | BC848B-7-F | Transistors bipolaires | Diodes |
251958 | BC848B-G | Petits signaux Transistor, V CBO = 30V, V PDG = 30V, V EBO = 6V, je C = 0.1A | Comchip Technology |
251959 | BC848BDW1T1 | 30 V, double transistor à usage général | Leshan Radio Company |
251960 | BC848BF | Transistors d'usage universel de NPN | Philips |
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