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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
252881BC869-16Transistor de puissance moyen de PNPPhilips
252882BC869-16TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE SOT89 NPNZetex Semiconductors
252883BC869-1620 V, 2 A PNP transistor de puissance moyenneNXP Semiconductors
252884BC869-25Transistor de puissance moyen de PNPPhilips
252885BC869-25TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE SOT89 NPNZetex Semiconductors
252886BC869-2520 V, 2 A PNP transistor de puissance moyenneNXP Semiconductors
252887BC86916DésuetZetex Semiconductors
252888BC86925DésuetZetex Semiconductors
252889BC875Transistors de NPN DarlingtonPhilips
252890BC875Transistors de Darlington de silicium de NPN (basse tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courantSiemens
252891BC876Transistors de Darlington de silicium de PNP (courant de collecteur élevé élevé de gain courant)Siemens
252892BC877Transistors de Darlington de silicium de NPN (basse tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courantSiemens
252893BC878Transistors de Darlington de silicium de PNP (courant de collecteur élevé élevé de gain courant)Siemens
252894BC878Transistor de PNP DarlingtonPhilips
252895BC879Transistors de NPN DarlingtonPhilips
252896BC879Transistors de Darlington de silicium de NPN (basse tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courantSiemens
252897BC880Transistors de Darlington de silicium de PNP (courant de collecteur élevé élevé de gain courant)Siemens
252898BCA114ES6RMini taille des éléments discrets de semi-conducteurSINYORK
252899BCA114ES6RMini taille des éléments discrets de semi-conducteurSINYORK



252900BCA114EUS6RMini taille des éléments discrets de semi-conducteurSINYORK
252901BCA114EUS6RMini taille des éléments discrets de semi-conducteurSINYORK
252902BCA124ES6RMini taille des éléments discrets de semi-conducteurSINYORK
252903BCA124ES6RMini taille des éléments discrets de semi-conducteurSINYORK
252904BCA124EUS6RMini taille des éléments discrets de semi-conducteurSINYORK
252905BCA124EUS6RMini taille des éléments discrets de semi-conducteurSINYORK
252906BCAAAPCUN SUPPORT DE CELLULES DE D.C.A.etc
252907BCAAAPCUN SUPPORT DE CELLULES DE D.C.A.etc
252908BCAE07Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
252909BCAE07RMocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
252910BCAE08Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
252911BCAE08RMocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
252912BCAE09Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
252913BCAE09RMocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
252914BCAE77Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
252915BCAE77RMocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
252916BCAE78Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
252917BCAE78RMocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
252918BCAE79Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
252919BCAE79RMocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
252920BCAP07Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor specjalnyUltra CEMI
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