| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 254161 | BCR8CS-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254162 | BCR8PM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254163 | BCR8PM | Volts Amperes/400-600 Du Triac 8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254164 | BCR8PM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254165 | BCR8PM-12 | Volts Amperes/400-600 Du Triac 8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254166 | BCR8PM-12L | Volts Amperes/400-600 Du Triac 8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254167 | BCR8PM-14 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254168 | BCR8PM-14 | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254169 | BCR8PM-16 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254170 | BCR8PM-18 | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254171 | BCR8PM-20 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254172 | BCR8PM-20 | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254173 | BCR8PM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254174 | BCR8PM-8 | Volts Amperes/400-600 Du Triac 8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254175 | BCR8PM-8L | Volts Amperes/400-600 Du Triac 8 | Powerex Power Semiconductors |
| 254176 | BCR8UM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE DE VERRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254177 | BCU81-SMD | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | SemeLAB |
| 254178 | BCU83-SMD | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | SemeLAB |
| 254179 | BCU86 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254180 | BCU86 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254181 | BCU86-SMD | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254182 | BCU86-SMD | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254183 | BCU87-SMD | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254184 | BCU87-SMD | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN/PNP | SemeLAB |
| 254185 | BCV26 | Transistors de PNP Darlington | Philips |
| 254186 | BCV26 | Transistor de PNP Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 254187 | BCV26 | TRANSISTORS PLANAIRES DU SILICIUM DARLINGTON DE SOT23 PNP | Zetex Semiconductors |
| 254188 | BCV26 | Transistors de Darlington - transistor de Darlington de silicium de PNP pour des applications générales d'cAf | Infineon |
| 254189 | BCV26 | Transistor De Darlington De Silicium de PNP | Infineon |
| 254190 | BCV26 | Transistors de Darlington de silicium de PNP (pour le courant de collecteur élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 254191 | BCV26 | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 254192 | BCV26 | Transistors PNP Darlington | NXP Semiconductors |
| 254193 | BCV26_L99Z | Transistor de PNP Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 254194 | BCV27 | Transistors de NPN Darlington | Philips |
| 254195 | BCV27 | Transistor de NPN Darlington | Fairchild Semiconductor |
| 254196 | BCV27 | Transistor de NPN Darlington | Zetex Semiconductors |
| 254197 | BCV27 | Transistors de Darlington - transistor de Darlington de silicium de NPN pour des applications générales d'cAf | Infineon |
| 254198 | BCV27 | Transistor de Darlington de silicium de NPN pour... | Infineon |
| 254199 | BCV27 | Transistors de Darlington de silicium de NPN (pour le courant de collecteur élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 254200 | BCV27 | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| | | |
