| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 254481 | BCW61C | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 254482 | BCW61C | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 254483 | BCW61C | TRANSISTORS PLANAIRES DE SIGNAL DE SILICIUM DE SOT23 PNP PETITS | Zetex Semiconductors |
| 254484 | BCW61C | Transistors tout usage - paquet SOT23 | Infineon |
| 254485 | BCW61C | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 254486 | BCW61C | Petit Bruit Du Transistor PNP De Signal de SMD Bas | Central Semiconductor |
| 254487 | BCW61C | Transistors, & de Rf; Af | Vishay |
| 254488 | BCW61C | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 254489 | BCW61C | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Samsung Electronic |
| 254490 | BCW61C | PNP transistors à usage général | NXP Semiconductors |
| 254491 | BCW61CLT1 | Silicium Tout usage De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 254492 | BCW61CLT1 | Transistors Tout usage | Motorola |
| 254493 | BCW61CMTF | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 254494 | BCW61CR | TRANSISTORS PLANAIRES DE SIGNAL DE SILICIUM DE SOT23 PNP PETITS | Zetex Semiconductors |
| 254495 | BCW61D | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 254496 | BCW61D | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 254497 | BCW61D | TRANSISTORS PLANAIRES DE SIGNAL DE SILICIUM DE SOT23 PNP PETITS | Zetex Semiconductors |
| 254498 | BCW61D | Transistors tout usage - paquet SOT23 | Infineon |
| 254499 | BCW61D | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 254500 | BCW61D | Petit Bruit Du Transistor PNP De Signal de SMD Bas | Central Semiconductor |
| 254501 | BCW61D | Transistors, & de Rf; Af | Vishay |
| 254502 | BCW61D | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 254503 | BCW61D | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Samsung Electronic |
| 254504 | BCW61D | PNP transistors à usage général | NXP Semiconductors |
| 254505 | BCW61DLT1 | Silicium Tout usage De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 254506 | BCW61DLT1 | Transistors Tout usage | Motorola |
| 254507 | BCW61DMTF | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 254508 | BCW61DR | TRANSISTORS PLANAIRES DE SIGNAL DE SILICIUM DE SOT23 PNP PETITS | Zetex Semiconductors |
| 254509 | BCW61FF | Transistors tout usage - paquet SOT23 | Infineon |
| 254510 | BCW61FF | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 254511 | BCW61FN | Transistors d'cAf de silicium de PNP (pour des étapes d'entrée d'cAf et le gain courant élevé d'applications de conducteur) | Siemens |
| 254512 | BCW61FN | Transistors simples d'cAf pour des applications tout usage | Infineon |
| 254513 | BCW65 | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 254514 | BCW65 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour le gain courant élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 254515 | BCW65 | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 254516 | BCW65 | Transistor d'Af De Silicium de NPN | Infineon |
| 254517 | BCW65A | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 254518 | BCW65A | Transistors d'cAf de silicium de NPN (pour le gain courant élevé d'applications générales d'cAf) | Siemens |
| 254519 | BCW65A | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 254520 | BCW65A | Transistor d'Af De Silicium de NPN | Infineon |
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