Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
256241 | BD241C | PUISSANCE TRANSISTORS(á, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
256242 | BD241C | PUISSANCE EN PLASTIQUE TRANSISTORSS DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
256243 | BD241C | Transistors De Puissance En plastique De Silicium Complémentaire | Motorola |
256244 | BD241C | Puissance Á 100V NPN 40W | ON Semiconductor |
256245 | BD241C | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | TRSYS |
256246 | BD241C | Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 115V, 40W. | General Electric Solid State |
256247 | BD241C | 115 V, le silicium transistor de puissance NPN | TRANSYS Electronics Limited |
256248 | BD241C | Un transistor NPN de puissance NPN plastique de silicium. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification d'usage général. VCEO = 100 V CC, Vces = 115Vdc, Veb = 5Vdc, Ic = 3Adc, Pd = 40W | USHA India LTD |
256249 | BD241C-D | Transistors De Puissance En plastique De Silicium Complémentaire | ON Semiconductor |
256250 | BD241CTU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
256251 | BD241D | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
256252 | BD241E | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
256253 | BD241F | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
256254 | BD241TU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
256255 | BD242 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
256256 | BD242 | TRANSISTORS DE PUISSANCE BAS ÉPITAXIAUX DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
256257 | BD242 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | Power Innovations |
256258 | BD242 | PUISSANCE TRANSISTORS(á, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
256259 | BD242 | PUISSANCE EN PLASTIQUE TRANSISTORSS DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
256260 | BD242 | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | TRSYS |
256261 | BD242 | 40.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 3.000A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
256262 | BD242 | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -55V, 40W. | General Electric Solid State |
256263 | BD242 | 55 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
256264 | BD242A | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
256265 | BD242A | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
256266 | BD242A | TRANSISTORS DE PUISSANCE BAS ÉPITAXIAUX DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
256267 | BD242A | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | Power Innovations |
256268 | BD242A | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256269 | BD242A | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
256270 | BD242A | PUISSANCE TRANSISTORS(á, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
256271 | BD242A | PUISSANCE EN PLASTIQUE TRANSISTORSS DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
256272 | BD242A | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | TRSYS |
256273 | BD242A | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -70V, 40W. | General Electric Solid State |
256274 | BD242A | 70 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
256275 | BD242A | Transistor de puissance PNP plastique de silicium. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification d'usage général. VCEO = 60 V cc, Vces = 70Vdc, Veb = 5Vdc Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
256276 | BD242ATU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
256277 | BD242B | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
256278 | BD242B | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
256279 | BD242B | TRANSISTORS DE PUISSANCE BAS ÉPITAXIAUX DE SILICIUM DE PNP | Micro Electronics |
256280 | BD242B | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | Power Innovations |
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