| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 256281 | BD242B | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 256282 | BD242B | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 256283 | BD242B | PUISSANCE TRANSISTORS(á, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 256284 | BD242B | PUISSANCE EN PLASTIQUE TRANSISTORSS DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
| 256285 | BD242B | Transistors De Puissance En plastique De Silicium Complémentaire | Motorola |
| 256286 | BD242B | Puissance Á 80V PNP | ON Semiconductor |
| 256287 | BD242B | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | TRSYS |
| 256288 | BD242B | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -90V, 40W. | General Electric Solid State |
| 256289 | BD242B | 90 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 256290 | BD242B | Transistor de puissance PNP plastique de silicium. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification d'usage général. VCEO = 80Vdc, 90Vdc Vces = VEB = 5Vdc Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
| 256291 | BD242BFP | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 256292 | BD242BFP | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 256293 | BD242BFP | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 256294 | BD242C | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256295 | BD242C | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | ST Microelectronics |
| 256296 | BD242C | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | Power Innovations |
| 256297 | BD242C | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 256298 | BD242C | TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUM | SGS Thomson Microelectronics |
| 256299 | BD242C | PUISSANCE TRANSISTORS(á, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 256300 | BD242C | PUISSANCE EN PLASTIQUE TRANSISTORSS DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
| 256301 | BD242C | Transistors De Puissance En plastique De Silicium Complémentaire | Motorola |
| 256302 | BD242C | Puissance Á 100V PNP | ON Semiconductor |
| 256303 | BD242C | TRANSISTOR DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNP | TRSYS |
| 256304 | BD242C | Silicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -115V, 40W. | General Electric Solid State |
| 256305 | BD242C | 115 V, le transistor de puissance PNP de silicium | TRANSYS Electronics Limited |
| 256306 | BD242C | Transistor de puissance PNP plastique de silicium. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification d'usage général. VCEO = 100 V CC, Vces = 115Vdc, Veb = 5Vdc Ic = 3Adc, PD = 40W. | USHA India LTD |
| 256307 | BD242CTU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256308 | BD242TU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 256309 | BD243 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256310 | BD243 | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
| 256311 | BD243 | PUISSANCE TRANSISTORS(ã, 65w) | MOSPEC Semiconductor |
| 256312 | BD243 | TRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
| 256313 | BD243 | 65.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 6.000A Ic, 30 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256314 | BD243 | Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 55V, 65W. | General Electric Solid State |
| 256315 | BD243A | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256316 | BD243A | TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPN | Power Innovations |
| 256317 | BD243A | TRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE SILICIUM COMPLÉMENTAIRE | Boca Semiconductor Corporation |
| 256318 | BD243A | TRANSISTORS DE PUISSANCE: AMPLIFICATEUR TOUT USAGE ET APPLICATION de COMMUTATION De basse fréquence | MOSPEC Semiconductor |
| 256319 | BD243A | 65.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 6.000A Ic, 30 hFE. | Continental Device India Limited |
| 256320 | BD243A | Silicium épitaxiale base transistor NPN VERSAWATT. VceR 70V, 65W. | General Electric Solid State |
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