|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 6405 | 6406 | 6407 | 6408 | 6409 | 6410 | 6411 | 6412 | 6413 | 6414 | 6415 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
256361BD244ATRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE SILICIUM COMPLÉMENTAIREBoca Semiconductor Corporation
256362BD244ATRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNPTRSYS
256363BD244A65.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 6.000A Ic, 30 hFE.Continental Device India Limited
256364BD244ASilicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -70V, 65W.General Electric Solid State
256365BD244A70 V PNP Silicon Power TransistorTRANSYS Electronics Limited
256366BD244ATransistor de puissance PNP plastique de silicium. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification d'usage général. VCEO = 60 V cc, 60 V cc Vcb = VEB = 5Vdc Ic = 6Adc, PD = 65W.USHA India LTD
256367BD244ATUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
256368BD244BTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
256369BD244BTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
256370BD244BTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNPPower Innovations
256371BD244BTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256372BD244BTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256373BD244BPUISSANCE TRANSISTORS(ã, 65w)MOSPEC Semiconductor
256374BD244BTRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE SILICIUM COMPLÉMENTAIREBoca Semiconductor Corporation
256375BD244BTransistors De Puissance En plastique De Silicium ComplémentaireMotorola
256376BD244BPuissance à 80V PNPON Semiconductor
256377BD244BTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNPTRSYS
256378BD244B65.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 6.000A Ic, 30 hFE.Continental Device India Limited
256379BD244BSilicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -90V, 65W.General Electric Solid State



256380BD244B90 V PNP Silicon Power TransistorTRANSYS Electronics Limited
256381BD244BTransistor de puissance PNP plastique de silicium. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification d'usage général. VCEO = 80Vdc, 80Vdc Vcb = VEB = 5Vdc Ic = 6Adc, PD = 65W.USHA India LTD
256382BD244BTUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
256383BD244CTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
256384BD244CTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
256385BD244CTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNPPower Innovations
256386BD244CTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256387BD244CTRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256388BD244CPUISSANCE TRANSISTORS(ã, 65w)MOSPEC Semiconductor
256389BD244CTRANSISTORS DE PUISSANCE EN PLASTIQUE DE SILICIUM COMPLÉMENTAIREBoca Semiconductor Corporation
256390BD244CTransistors De Puissance En plastique De Silicium ComplémentaireMotorola
256391BD244CPuissance à 100V PNPON Semiconductor
256392BD244CTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE PNPTRSYS
256393BD244C65.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 6.000A Ic, 15 hFE.Continental Device India Limited
256394BD244CSilicium épitaxiale base transistor PNP VERSAWATT. VceR -115V, 65W.General Electric Solid State
256395BD244C115 V, le transistor de puissance PNP de siliciumTRANSYS Electronics Limited
256396BD244CTransistor de puissance PNP plastique de silicium. Conçu pour une utilisation dans les applications de commutation et d'amplification d'usage général. VCEO = 100 V CC, 100 V CC = Vcb, Veb = 5Vdc Ic = 6Adc, PD = 65W.USHA India LTD
256397BD244TUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
256398BD245TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
256399BD245ATRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
256400BD245BTRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM DE NPNPower Innovations
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 6405 | 6406 | 6407 | 6408 | 6409 | 6410 | 6411 | 6412 | 6413 | 6414 | 6415 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com