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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
256561BD435TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNPSiemens
256562BD435Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
256563BD43536.000W NPN Transistor plastique plomb. 32V VCEO, 4.000A Ic, 50 hFE.Continental Device India Limited
256564BD435Puissance moyenne en silicium transistor NPN plastique. 4 A, 32 V.Motorola
256565BD435STransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256566BD435STUTransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256567BD436Transistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
256568BD436TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
256569BD436TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256570BD436TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256571BD436TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNPSiemens
256572BD436Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
256573BD43636.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 32V VCEO, 4.000A Ic, 50 hFE.Continental Device India Limited
256574BD436Transistor moyen plastique puissance de silicium de PNP. 4 A, 32 V.Motorola
256575BD436STransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
256576BD436STUTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
256577BD437Transistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256578BD437TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
256579BD437TRANSISTOR DE PUISSANCE ÉPITAXIAL DE LA BASE NPN DE SILICIUMMicro Electronics



256580BD437TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256581BD437TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256582BD437TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNPSiemens
256583BD437Transistor Moyen En plastique Du Silicium NPN De PuissanceMotorola
256584BD437Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
256585BD437Transistor Moyen En plastique Du Silicium NPN De PuissanceON Semiconductor
256586BD43736.000W NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 4.000A Ic, 40 hFE.Continental Device India Limited
256587BD437-DTransistor Moyen En plastique Du Silicium NPN De PuissanceON Semiconductor
256588BD437STransistor Épitaxial De Silicium de NPNFairchild Semiconductor
256589BD437TTransistor Moyen En plastique Du Silicium NPN De PuissanceON Semiconductor
256590BD438Transistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
256591BD438TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMST Microelectronics
256592BD438TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256593BD438TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES DE SILICIUMSGS Thomson Microelectronics
256594BD438TRANSISTORS DU SILICIUM EPIBASE DE PNPSiemens
256595BD438Transistor Moyen En plastique Du Silicium PNP De PuissanceMotorola
256596BD438Usage universel Plombé De Transistor De PuissanceCentral Semiconductor
256597BD438Puissance  45V PNPON Semiconductor
256598BD43836.000W commutation PNP Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 4.000A Ic, 40 hFE.Continental Device India Limited
256599BD438-DTransistor Moyen En plastique Du Silicium PNP De PuissanceON Semiconductor
256600BD438STransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
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