| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 25961 | 1N5518B | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de 3,3 V. Zener test actuel de 20 mAdc. + -5% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25962 | 1N5518B (DO35) | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 25963 | 1N5518B-1 | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 25964 | 1N5518B-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 25965 | 1N5518BUR-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 25966 | 1N5518C | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 25967 | 1N5518C | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 25968 | 1N5518D | Usage universel Plombé De Diode Zener | Central Semiconductor |
| 25969 | 1N5518D | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de 3,3 V. Zener test actuel de 20 mAdc. + -1% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25970 | 1N5519 | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 25971 | 1N5519 | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 25972 | 1N5519 | RENDEMENT ÉLEVÉ DE DIODES ZENER D'CAvalanche DE BASSE TENSION: BAS BRUIT, BASSE FUITE | Knox Semiconductor Inc |
| 25973 | 1N5519A | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 25974 | 1N5519A | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 3,6 V. Courant d'essai de 20 mAdc. + -10% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25975 | 1N5519B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 25976 | 1N5519B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 25977 | 1N5519B | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 25978 | 1N5519B | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 3,6 V. Courant d'essai de 20 mAdc. + -5% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25979 | 1N5519B (DO35) | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 25980 | 1N5519B-1 | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 25981 | 1N5519B-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 25982 | 1N5519BUR-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 25983 | 1N5519C | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 25984 | 1N5519C | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 25985 | 1N5519D | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 25986 | 1N5519D | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 25987 | 1N5520 | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 25988 | 1N5520 | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 25989 | 1N5520 | RENDEMENT ÉLEVÉ DE DIODES ZENER D'CAvalanche DE BASSE TENSION: BAS BRUIT, BASSE FUITE | Knox Semiconductor Inc |
| 25990 | 1N5520A | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 25991 | 1N5520A | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 3,9 V. Courant d'essai de 20 mAdc. + -10% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25992 | 1N5520B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 25993 | 1N5520B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 25994 | 1N5520B | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 25995 | 1N5520B | Usage universel Plombé De Diode Zener | Central Semiconductor |
| 25996 | 1N5520B | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 3,9 V. Courant d'essai de 20 mAdc. + -5% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 25997 | 1N5520B (DO35) | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 25998 | 1N5520B-1 | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 25999 | 1N5520B-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 26000 | 1N5520BUR-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
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