| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 26161 | 1N5529C | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de 9,1 V. Zener Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -2% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26162 | 1N5529D | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26163 | 1N5529D | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26164 | 1N5530 | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26165 | 1N5530 | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26166 | 1N5530 | RENDEMENT ÉLEVÉ DE DIODES ZENER D'CAvalanche DE BASSE TENSION: BAS BRUIT, BASSE FUITE | Knox Semiconductor Inc |
| 26167 | 1N5530A | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26168 | 1N5530A | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 10,0 V. Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -10% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26169 | 1N5530B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26170 | 1N5530B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26171 | 1N5530B | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 26172 | 1N5530B | Usage universel Plombé De Diode Zener | Central Semiconductor |
| 26173 | 1N5530B | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 10,0 V. Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -5% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26174 | 1N5530B (DO35) | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26175 | 1N5530B-1 | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 26176 | 1N5530B-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 26177 | 1N5530BUR-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 26178 | 1N5530C | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26179 | 1N5530C | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26180 | 1N5530D | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26181 | 1N5530D | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26182 | 1N5531 | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26183 | 1N5531 | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26184 | 1N5531 | RENDEMENT ÉLEVÉ DE DIODES ZENER D'CAvalanche DE BASSE TENSION: BAS BRUIT, BASSE FUITE | Knox Semiconductor Inc |
| 26185 | 1N5531A | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26186 | 1N5531A | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 11,0 V. Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -10% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26187 | 1N5531B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26188 | 1N5531B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26189 | 1N5531B | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 26190 | 1N5531B | Usage universel Plombé De Diode Zener | Central Semiconductor |
| 26191 | 1N5531B | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 11,0 V. Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -5% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26192 | 1N5531B (DO35) | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26193 | 1N5531B-1 | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 26194 | 1N5531B-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 26195 | 1N5531BUR-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 26196 | 1N5531C | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26197 | 1N5531C | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26198 | 1N5531D | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26199 | 1N5531D | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26200 | 1N5532 | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| | | |
