| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 26241 | 1N5534B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26242 | 1N5534B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26243 | 1N5534B | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 26244 | 1N5534B | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 14,0 V. Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -5% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26245 | 1N5534B-1 | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 26246 | 1N5534B-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 26247 | 1N5534BUR-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 26248 | 1N5534C | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26249 | 1N5534C | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26250 | 1N5534D | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26251 | 1N5534D | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26252 | 1N5535 | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26253 | 1N5535 | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26254 | 1N5535 | RENDEMENT ÉLEVÉ DE DIODES ZENER D'CAvalanche DE BASSE TENSION: BAS BRUIT, BASSE FUITE | Knox Semiconductor Inc |
| 26255 | 1N5535A | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26256 | 1N5535A | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 15,0 V. Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -10% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26257 | 1N5535B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26258 | 1N5535B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26259 | 1N5535B | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 26260 | 1N5535B | Usage universel Plombé De Diode Zener | Central Semiconductor |
| 26261 | 1N5535B | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 15,0 V. Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -5% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26262 | 1N5535B-1 | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 26263 | 1N5535B-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 26264 | 1N5535BUR-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 26265 | 1N5535C | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26266 | 1N5535C | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26267 | 1N5535D | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26268 | 1N5535D | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26269 | 1N5536 | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26270 | 1N5536 | RENDEMENT ÉLEVÉ DE DIODES ZENER D'CAvalanche DE BASSE TENSION: BAS BRUIT, BASSE FUITE | Knox Semiconductor Inc |
| 26271 | 1N5536 | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 16,0 V. Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -20% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26272 | 1N5536A | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26273 | 1N5536A | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 16,0 V. Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -10% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26274 | 1N5536B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26275 | 1N5536B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26276 | 1N5536B | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 26277 | 1N5536B | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 16,0 V. Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -5% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26278 | 1N5536B-1 | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 26279 | 1N5536B-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 26280 | 1N5536BUR-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
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