| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 26321 | 1N5539A | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 19,0 V. Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -10% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26322 | 1N5539B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26323 | 1N5539B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26324 | 1N5539B | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 26325 | 1N5539B | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 19,0 V. Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -5% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26326 | 1N5539B-1 | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 26327 | 1N5539B-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 26328 | 1N5539BUR-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 26329 | 1N5539C | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26330 | 1N5539C | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26331 | 1N5539D | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26332 | 1N5539D | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26333 | 1N5540 | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26334 | 1N5540 | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26335 | 1N5540 | RENDEMENT ÉLEVÉ DE DIODES ZENER D'CAvalanche DE BASSE TENSION: BAS BRUIT, BASSE FUITE | Knox Semiconductor Inc |
| 26336 | 1N5540A | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26337 | 1N5540A | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 20,0 V. Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -10% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26338 | 1N5540B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26339 | 1N5540B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26340 | 1N5540B | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 26341 | 1N5540B | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 20,0 V. Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -5% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26342 | 1N5540B-1 | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 26343 | 1N5540B-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 26344 | 1N5540BUR-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| 26345 | 1N5540C | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26346 | 1N5540C | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26347 | 1N5540D | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26348 | 1N5540D | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26349 | 1N5541 | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26350 | 1N5541 | DIODES D'CAvalanche DE LA BASSE TENSION 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26351 | 1N5541 | RENDEMENT ÉLEVÉ DE DIODES ZENER D'CAvalanche DE BASSE TENSION: BAS BRUIT, BASSE FUITE | Knox Semiconductor Inc |
| 26352 | 1N5541A | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26353 | 1N5541A | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 22,0 V. Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -10% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26354 | 1N5541B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26355 | 1N5541B | Avalanche Zener De Basse Tension | Microsemi |
| 26356 | 1N5541B | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 26357 | 1N5541B | Usage universel Plombé De Diode Zener | Central Semiconductor |
| 26358 | 1N5541B | 0,4 W, bas diode à avalanche de tension. Tension nominale de Zener 22,0 V. Courant d'essai de 1,0 mAdc. + -5% De tolérance. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26359 | 1N5541B-1 | BASSES CARACTÉRISTIQUES RENVERSÉES DE FUITE | Compensated Devices Incorporated |
| 26360 | 1N5541B-1 | Basse tension Zener Avalanche | Microsemi |
| | | |
