| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 268201 | BSH112 | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
| 268202 | BSH114 | transistor à effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
| 268203 | BSH114 | TrenchMOS FET à canal N de niveau standard | NXP Semiconductors |
| 268204 | BSH121 | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
| 268205 | BSH121 | TrenchMOS canal N niveau extrêmement bas FET | NXP Semiconductors |
| 268206 | BSH201 | transistor de MOS de mode de perfectionnement de P-canal | Philips |
| 268207 | BSH201 | D-MOS vertical niveau logique FET à canal P | NXP Semiconductors |
| 268208 | BSH202 | transistor de MOS de mode de perfectionnement de P-canal | Philips |
| 268209 | BSH202 | D-MOS vertical niveau logique FET à canal P | NXP Semiconductors |
| 268210 | BSH203 | transistor de MOS de mode de perfectionnement de P-canal | Philips |
| 268211 | BSH203 | D-MOS vertical niveau logique FET à canal P | NXP Semiconductors |
| 268212 | BSH205 | transistor de MOS de mode de perfectionnement de P-canal | Philips |
| 268213 | BSH205 | D-MOS vertical niveau logique FET à canal P | NXP Semiconductors |
| 268214 | BSH206 | transistor de MOS de mode de perfectionnement de P-canal | Philips |
| 268215 | BSH207 | transistor de MOS de mode de perfectionnement de P-canal | Philips |
| 268216 | BSH299 | transistor de MOS de mode de perfectionnement de P-canal | Philips |
| 268217 | BSH301 | Transistor duel de MOS de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
| 268218 | BSI | Fils axiaux moulés et isolés de résistances de puissance de précision de Wirewound | Vishay |
| 268219 | BSL207SP | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET D'OptiMOS, -20V, Tsop-6 | Infineon |
| 268220 | BSL211 | OptiMOS - Petit-Signal-Transistor De P | Infineon |
| 268221 | BSL211SP | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET D'OptiMOS, -20V, Tsop-6 | Infineon |
| 268222 | BSL307SP | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET D'OptiMOS, -30V, Tsop-6 | Infineon |
| 268223 | BSM100GAL120DN2 | Module de puissance d'cIgbt (commutateur simple avec la diode de découpeur comprenant les diodes indépendantes rapides) | Siemens |
| 268224 | BSM100GB120DN2 | Module de puissance d'cIgbt (Moitié-pont comprenant le paquet indépendant rapide de diodes avec l'embase isolée en métal) | Siemens |
| 268225 | BSM100GB120DN2K | Module de puissance d'cIgbt (Moitié-pont comprenant le paquet indépendant rapide de diodes avec l'embase isolée en métal) | Siemens |
| 268226 | BSM100GB170DN2 | Module de puissance d'cIgbt (Moitié-pont comprenant le paquet indépendant rapide de diodes avec l'embase isolée en métal) | Siemens |
| 268227 | BSM100GD120DLC | IGBT-Module | Eupec GmbH |
| 268228 | BSM100GD120DN2 | Module de puissance d'cIgbt (plein-pont triphasé de module de puissance de Solderable comprenant les diodes rapides de libre-roue) | Siemens |
| 268229 | BSM100GP60 | Hochstzulassige Werte/valeurs évaluées maximum | Eupec GmbH |
| 268230 | BSM100GT120DN2 | Module de puissance d'cIgbt (trois passages simples comprenant le paquet indépendant rapide de diodes avec l'embase isolée en métal) | Siemens |
| 268231 | BSM101 | Module de SIMOPAC (mode simple de perfectionnement de canal de commutateur N de module de puissance) | Siemens |
| 268232 | BSM101AR | Module de SIMOPAC (mode simple de perfectionnement de canal de commutateur N de module de puissance) | Siemens |
| 268233 | BSM10GD60DN2 | Module de puissance d'cIgbt (plein-pont triphasé de module de puissance comprenant les diodes rapides de libre-roue | Siemens |
| 268234 | BSM10GP60 | IGBT-Module | Eupec GmbH |
| 268235 | BSM111 | Module de SIMOPAC (mode simple de perfectionnement de canal de commutateur N de module de puissance) | Siemens |
| 268236 | BSM111AR | Module de SIMOPAC (mode simple de perfectionnement de canal de commutateur N de module de puissance) | Siemens |
| 268237 | BSM121AR | Module de SIMOPAC (mode simple de perfectionnement de canal de commutateur N de module de puissance) | Siemens |
| 268238 | BSM150GAL120DN2 | Module de puissance d'cIgbt (commutateur simple avec la diode de découpeur comprenant les diodes indépendantes rapides) | Siemens |
| 268239 | BSM150GAL120DN2E3166 | Module de puissance d'cIgbt (commutateur simple avec la diode de découpeur comprenant les diodes indépendantes rapides) | Siemens |
| 268240 | BSM150GB120DN2 | Module de puissance d'cIgbt (Moitié-pont comprenant le paquet indépendant rapide de diodes avec l'embase isolée en métal) | Siemens |
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