| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 268521 | BSP350E6907 | Mini Commutateur Latéral Élevé Intelligent de PROFET | Infineon |
| 268522 | BSP365 | protection de surchauffe de protection de court-circuit de commutateur de MiniSmart(High-côté avec l'hystérésis) | Infineon |
| 268523 | BSP365CHIP | Mini Commutateur Latéral Élevé Intelligent de PROFET | Infineon |
| 268524 | BSP365E6327 | Mini Commutateur Latéral Élevé Intelligent de PROFET | Infineon |
| 268525 | BSP372 | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET Small-Signal, 100V, Sot-223, RDSon=0,31 Ohm, 1.7A, LL | Infineon |
| 268526 | BSP372 | Transistor small-Signal de SIPMOS (l'avalanche de niveau de logique de mode de perfectionnement de canal de N a évalué | Siemens |
| 268527 | BSP373 | Transistors MOSFET De Basse Tension - Transistor MOSFET Small-Signal, 100V, Sot-223, RDSon=0.3 Ohm, 1.7A, NL | Infineon |
| 268528 | BSP373 | Transistor small-Signal de SIPMOS (avalanche de mode de perfectionnement de canal de N évaluée) | Siemens |
| 268529 | BSP40 | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT223 NPN | Zetex Semiconductors |
| 268530 | BSP40 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE MOYEN | SGS Thomson Microelectronics |
| 268531 | BSP40 | AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE MOYENS | SGS Thomson Microelectronics |
| 268532 | BSP40 | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 268533 | BSP40 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE MOYEN | ST Microelectronics |
| 268534 | BSP41 | Transistors de puissance moyens de NPN | Philips |
| 268535 | BSP41 | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT223 NPN | Zetex Semiconductors |
| 268536 | BSP41 | AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE MOYENS | SGS Thomson Microelectronics |
| 268537 | BSP41 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE MOYEN | SGS Thomson Microelectronics |
| 268538 | BSP41 | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 268539 | BSP41 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE MOYEN | ST Microelectronics |
| 268540 | BSP41 | , 1 A transistor NPN moyen d'alimentation 60 V | NXP Semiconductors |
| 268541 | BSP42 | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT223 NPN | Zetex Semiconductors |
| 268542 | BSP42 | AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE MOYENS | SGS Thomson Microelectronics |
| 268543 | BSP42 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE MOYEN | SGS Thomson Microelectronics |
| 268544 | BSP42 | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 268545 | BSP42 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE MOYEN | ST Microelectronics |
| 268546 | BSP43 | Transistors de puissance moyens de NPN | Philips |
| 268547 | BSP43 | TRANSISTORS DE PUISSANCE MOYENS PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT223 NPN | Zetex Semiconductors |
| 268548 | BSP43 | AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE MOYENS | SGS Thomson Microelectronics |
| 268549 | BSP43 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE MOYEN | SGS Thomson Microelectronics |
| 268550 | BSP43 | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 268551 | BSP43 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE MOYEN | ST Microelectronics |
| 268552 | BSP43 | 80 V, 1 A transistor NPN moyen de puissance | NXP Semiconductors |
| 268553 | BSP450 | MiniPROFET (protection de surchauffe de protection d'entrée de protection de court-circuit de commutateur de Haut-côté avec l'hystérésis) | Siemens |
| 268554 | BSP450 | la protection de court-circuit de commutateur de MiniPROFET(High-côté a entré la protection de surchauffe de protection avec l'hystérésis) | Infineon |
| 268555 | BSP450E6327 | Mini Commutateur Latéral Élevé Intelligent de PROFET | Infineon |
| 268556 | BSP450E6911 | Mini Commutateur Latéral Élevé Intelligent de PROFET | Infineon |
| 268557 | BSP452 | Commutateurs latéraux élevés intelligents - la nouvelle conception, emploient svp également | Infineon |
| 268558 | BSP452 | MiniPROFET (protection de surchauffe de protection d'entrée de protection de court-circuit de commutateur de Haut-côté avec l'hystérésis) | Siemens |
| 268559 | BSP50 | Transistors de NPN Darlington | Philips |
| 268560 | BSP50 | Transistors de Darlington - transistor de Darlington de silicium de NPN avec le courant de collecteur élevé | Infineon |
| | | |
